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本实用新型公开了一种氮氧化物气敏传感器元件，包括硅基片衬底（1）、铂电极（3），其特征在于，所述硅基片衬底（1）与铂电极（3）之间设置有多孔硅敏感层（2）；所述多孔硅敏感层（2）是利用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备而成。本实用新型传感...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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