兼容BioFET的CMOS制造技术

本发明专利技术提供一种生物场效应晶体管(BioFET)和一种制作BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者CMOS工艺特有的一个或者多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件可以包括：衬底；栅极结构，设置于衬底的第一表面上；以及界面层，形成于衬底的第二表面上。界面层可以允许受体放置于界面层上以检测存在的生物分子或者生物实体。本发明专利技术还提供了兼容BioFET的CMOS。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体
，更具体地，涉及BioFET器件及其制造方法。
技术介绍
生物传感器是用于感测和检测生物分子的器件并且基于电子、电化学、光学和机械检测原理运转。包括晶体管的生物传感器是电感测电荷、光子和生物实体(bio-entities)或者生物分子的机械性质的传感器。可以通过检测生物实体或者生物分子本身或者通过在指定的反应物与生物实体/生物分子之间的相互作用和反应来实施检测。这种生物传感器可以使用半导体工艺来制造、可以快速转换电信号并且可以容易应用于集成电路(IC)和MEMS。BioFET(生物敏感场效应晶体管或者生物有机场效应晶体管)是包括用于电感测生物分子或者生物实体的生物传感器类型。尽管BioFET在许多方面是有利，但是例如由于在半导体制造工艺、生物应用之间的兼容问题、对半导体制造工艺的约束和/或限制、电信号与生物应用的集成而出现了在它们的制造和/或操作方面的挑战和/或由于实施大规模集成电路(LSI)工艺而带来的其它挑战。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种BioFET器件，包括:衬底；栅极结构，设置于所述衬底的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BioFET器件，包括：衬底；栅极结构，设置于所述衬底的第一表面上；隔离层，设置于所述衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对，其中，所述隔离层包括开口；以及界面层，形成于所述开口中的所述衬底的所述第二表面上。

【技术特征摘要】
2011.10.31 US 61/553,606;2012.05.24 US 13/480,1611.一种BioFET器件，包括: 衬底； 栅极结构，设置于所述衬底的第一表面上； 隔离层，设置于所述衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对，其中，所述隔离层包括开口 ；以及 界面层，形成于所述开口中的所述衬底的所述第二表面上。2.根据权利要求1所述的BioFET器件，其中，所述界面层包括用于生物分子结合的材料。3.根据权利要求2所述的BioFET器件，其中，所述界面材料选自由Si02、Si3N4、Al203、TiO2, HfO2, Ta2O5, TiN, SnO、SnO2, Pt、Cr、Au、Al、W、Cu 以及它们的组合所组成的组。4.根据权利要求1所述的BioFET器件，还包括: 流体沟道，设置于所述隔离层上。5.根据权利要求1所述的BioFET器件，还包括: 多层互连件(MLI)，设置于所述衬底的所述第一表面上。6.根据权利要求5所述的BioFET器件，其中，所述MLI包括层间介电(ILD)层。7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历克斯·卡尔尼茨基，刘怡劭，梁凯智，朱家骅，郑创仁，郑钧文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：