一种单晶炉用加热器的电极连接脚盖板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单晶炉用加热器的电极连接脚盖板，包括本体，其还包括：设置在所述本体表面的保温层；覆盖在所述保温层上，且与所述本体连接以与所述本体配合将所述保温层夹紧的连接体。本实用新型专利技术提供的单晶炉用加热器的电极连接脚盖板与原有仅具备本体的盖板相比，不仅提高了盖板的保温效果，使得硅蒸汽在电极连接脚处冷凝形成的固体减少，而且多层结构也提高了盖板对电极连接脚的防护性，减少了冷凝固体附着到电极连接脚上的几率，进而减少甚至避免了石墨螺丝和电极连接脚发生粘接的现象，减少了需要锯断石墨螺丝的情况，降低了生产成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶炉
，更具体地说，涉及一种单晶炉用加热器的电极连接脚盖板。
技术介绍
单晶炉是采用直拉法生产单晶硅的主要设备，其主要生产过程是将原料多晶硅块放入到单晶炉中，然后使用单晶炉的加热器对其进行加热，使多晶硅块熔化为多晶硅溶液，然后在籽晶的引导下冷凝生成单晶硅固体。在上述多晶硅块熔化成溶液的过程中，存在于多晶硅块中的杂质会挥发到热场中，同时在熔化的过程中也会由于高温而产生硅蒸汽，而热场中的杂质会对后续的单晶硅生长造成一定的影响，所以一般会将挥发出的杂质排出单晶炉，硅蒸汽也会随着气流一同排出，当单晶炉使用下排气的方式排除杂质时，含有杂质和硅蒸汽的气流流经单晶炉的导流筒下部、溶液液面和加热器，并最终从排气口排出单晶炉。在单晶炉的内部热场中，受到加热器形状和大小的限制，热场中各点的温度不尽相同，即热场中存在温度差。在竖直方向上，内部热场中加热器01中心部分温度最高，远离加热器01的上端部和下端部的温度随着距离的增大逐渐降低，而加热器01的电极连接脚02则正处于加热器01下端部的低温区，且采用下排气方式排出的硅蒸汽会流经此处，所以在电极连接脚02的正上方覆盖有矩形石墨盖板03，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉用加热器的电极连接脚盖板，包括本体（1），其特征在于，还包括：设置在所述本体（1）表面的保温层（2）；覆盖在所述保温层（2）上，且与所述本体（1）连接以与所述本体（1）配合将所述保温层（2）夹紧的连接体（3）。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉用加热器的电极连接脚盖板，包括本体(I)，其特征在于，还包括: 设置在所述本体(I)表面的保温层(2)； 覆盖在所述保温层(2 )上，且与所述本体(I)连接以与所述本体(I)配合将所述保温层(2)夹紧的连接体(3)。2.根据权利要求1所述的单晶炉用加热器的电极连接脚盖板，其特征在于，所述连接体(3 )设置在所述本体(I)形成的凹槽的内侧。3.根据权利要求1所述的单晶炉用加热器的电极连接脚盖板，其特征在于，所述连接体(3)设置在所述本体(I)形成的凹槽的外侧。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘淑娜，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13