一种用于确定最小取样电压的选择电路制造技术

本发明专利技术提供了一种用于确定最小取样电压的选择电路，包括：n个开关支路，每一开关支路包括一晶体管，其控制端用以接收一取样电压Vcs(j)；电流镜，用以向n个开关支路提供电流；一第一选择单元，包括彼此并联的n个晶体管；一第二选择单元，包括单个晶体管；以及一多任务选择器，用以比较各取样电压是否相同，并根据比较结果将第一选择单元或第二选择单元切换为与n个开关支路并联连接，从而使选择电路输出最小取样电压。相比于现有技术，本发明专利技术在各取样电压数值相同或不同时，最小取样电压均能精确地送出预设电压值，进而改善电路整体的效能，提高设定电流的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED (Light Emitting Diode,发光二极管)驱动电路,尤其涉及该LED驱动电路中的用来确定最小取样电压的选择电路。
技术介绍
当前,世界各地对于节约能源的需求越来越强烈，LED (Light Emitting Diode,发光二极管)因其具有使用寿命长、体积小、功率消耗低、工作温度低等许多优点，日益受到业界的喜爱与使用。近年来，在液晶电视的背光模组(Backlight Module)中，运用LED作为背光源的设计架构逐渐增加，从而将原本具有污染性的冷阴极射线管(Cold CathodeFluorescent Lamp, CCFL)逐渐淘汰。在现有技术中，传统驱动方式主要是利用升压反馈控制电路来驱动LED发光，若LED驱动电路包括η个并联连接的灯串(LED string),则取样反馈控制点的端电压为Vcs(n)。在此，取样反馈控制点的端电压Vcs(n)是对η个灯串中的每一灯串的端电压Vcs (I广Vcs (η)进行比较,判断出这些端电压Vcs (I广Vcs (η)中的最小值Vcs_min,经内部的电压放大电路放大3倍后，再通过运算放大器(operation amplifier)输送此电压至反馈控制电路，进而驱动LED发光。然而，在实际电路中，取样反馈控制点的端电压Vcs (I广Vcs (η)有可能相同也可能不同，而最小值Vcs_min并不能根据具体情形进行精确计算而得到。例如，若预期送出的端电压为0.5V，当端电压VCS(irVCS(n)不同时，经由公式计算后，实际得到的最小值Vcs_min却可能为0.63V,进而造成功率损耗增加，IC(Integrated Circuit)封装的整体温度也会不断加剧,影响电路的动作特性。又如,若预期送出的端电压为0.5V，当端电压VCS(irVCS(n)相同时，经由公式计算后，实际得到的最小值Vcsjiiin可能为0.2V，该电压数值又无法满足所设定的Imi电流，造成电流值过低。有鉴于此，如何设计一种用于确定最小取样电压的选择电路，以解决现有技术中的上述缺陷或不足，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术在计算取样反馈控制点的端电压时精度较低的情形，本专利技术提供了一种用于确定最小取样电压的选择电路。依据本专利技术的一个方面，提供了 一种用于确定最小取样电压的选择电路，包括:η个开关支路，每一开关支路包括一晶体管，所述晶体管的控制端用以接收一取样电压Vcs (j)，其中，η为自然数，j为I至η中的任一数值；一电流镜，其一端连接至一电源电压，另一端电性连接至每一开关支路的晶体管的源极，所述电流镜用以向所述η个开关支路提供电流；一第一选择单元，包括彼此并联的η个晶体管；一第二选择单元，包括单个晶体管；以及一多任务选择器，用以比较来自所述η个开关支路的各取样电压Vcs(I)、Vcs (2),…、Vcs(n)是否相同，并根据比较结果将所述第一选择单元或所述第二选择单元切换为与所述η个开关支路并联连接，从而使所述选择电路输出最小取样电压。优选地，开关支路、所述第一选择单元以及所述第二选择单元中的晶体管为一金属氧化物半导体场效应管(MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)。优选地，该多任务选择器包括:一比较模组，用以比较所述取样电压Vcs (I)、Vcs (2),…、Vcs(n)是否相同，并根据比较结果输出一选择信号；以及一选择模组，用以根据所述选择信号，在所述取样电压Vcs(I)、Vcs(2)、…、Vcs(n)相同时将所述第一选择单元切换为与所述η个开关支路并联连接，以及在所述取样电压Vcs (I) ,Vcs (2)、…、Vcs (η)不同时将所述第二选择单元切换为与所述η个开关支路并联连接。 在其中的一实施例中，当所述取样电压Vcs(I)、Vcs(2)、…、Vcs (η)相同时,流经η个开关支路的每一开关支路的电流之和等于流经所述第一选择单元的电流。优选地，所述取样电压Vcs (I)、Vcs (2)、…、Vcs(n)为0.5V, η个开关支路中的每一开关支路的晶体管均处于开通状态。在其中的一实施例中，当所述取样电压Vcs (I)、Vcs (2)、…、Vcs (η)不同时,流经第一开关支路的晶体管的电流等于流经所述第二选择单元的电流。优选地，所述取样电压Vcs(I)为0.5V，所述取样电压Vcs (2)、…、Vcs(n)为1.8V，第一开关支路的晶体管处于开通状态，以及第二开关支路至第η开关支路各自的晶体管均处于关断状态。优选地,无论所述取样电压Vcs(I)、Vcs (2)、…、Vcs (η)是否相同,所述最小取样电压的数值保持不变。采用本专利技术的用于确定最小取样电压的选择电路，设置彼此并联的η个晶体管作为第一选择单元，同时设置单个晶体管作为第二选择单元，然后通过多任务选择器来比较各取样电压Vcs(I)、Vcs (2)、sVcsOi)是否相同，根据比较结果将上述第一选择单元或上述第二选择单元切换为与η个开关支路并联连接，从而在各取样电压数值相同或不同时，最小取样电压均能精确地送出预设电压值，进而改善电路整体的效能，提高设定电流的准确性。附图说明读者在参照附图阅读了本专利技术的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本专利技术的各个方面。其中，图1示出现有技术中的一种用于确定最小取样电压的选择电路的结构示意图；图2 (a)示出图1的选择电路在η个开关支路各自的取样电压不同时，各开关管的开关状态不意图；图2 (b)示出图2 Ca)的选择电路的等效架构示意图；图3示出图1的选择电路在η个开关支路各自的取样电压相同时，各开关管的开关状态不意图；图4示出依据本专利技术的一实施方式，用于确定最小取样电压的选择电路的结构示意图；以及图5示出图4的选择电路中的多任务选择器的一具体实施例的结构框图。具体实施例方式为了使本申请所揭示的
技术实现思路
更加详尽与完备，可参照附图以及本专利技术的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本专利技术所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。下面参照附图，对本专利技术各个方面的具体实施方式作进一步的详细描述。图1示出现有技术中的一种用于确定最小取样电压的选择电路的结构示意图。参照图1，该选择电路包括一电流镜和八个开关支路(也可称为开关通道)，即，通道MP1，通道MP2，…，通道MP7和通道MP8。其中，M=I表示通道MP1 MP8中的每一通道包括一晶体管，藉由该晶体管的栅极来接收一取样电压。例如，通道MPl中的晶体管的栅极接收取样电压Vcs(I)，通道MP2中的晶体管的栅极接收取样电压Vcs (2)，通道MP7中的晶体管的栅极接收取样电压Vcs (7)，通道MP8中的晶体管的栅极接收取样电压Vcs⑶。在此，取样电压Vcs (lrVcs⑶的数值既可以相同，也可以不同。例如，取样电压Vcs(irVcs(8)中的任何一个取样电压均设置为0.5V或1.8V。电流镜的一端连接至一电源电压Vin，另一端电性连接至每一开关支路的晶体管的源极。电流镜用以向这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于确定最小取样电压的选择电路，其特征在于，所述选择电路包括：n个开关支路，每一开关支路包括一晶体管，所述晶体管的控制端用以接收一取样电压Vcs(j)，其中，n为自然数，j为1至n中的任一数值；一电流镜，其一端连接至一电源电压，另一端电性连接至每一开关支路的晶体管的源极，所述电流镜用以向所述n个开关支路提供电流；一第一选择单元，包括彼此并联的n个晶体管；一第二选择单元，包括单个晶体管；以及一多任务选择器，用以比较来自所述n个开关支路的各取样电压Vcs(1)、Vcs(2)、…、Vcs(n)是否相同，并根据比较结果将所述第一选择单元或所述第二选择单元切换为与所述n个开关支路并联连接，从而使所述选择电路输出最小取样电压。

【技术特征摘要】
1.种用于确定最小取样电压的选择电路，其特征在于，所述选择电路包括: η个开关支路，每一开关支路包括一晶体管，所述晶体管的控制端用以接收一取样电压Vcs (j),其中，η为自然数，j为I至η中的任一数值； 一电流镜，其一端连接至一电源电压，另一端电性连接至每一开关支路的晶体管的源极，所述电流镜用以向所述η个开关支路提供电流； 一第一选择单元，包括彼此并联的η个晶体管； 一第二选择单元，包括单个晶体管；以及 一多任务选择器，用以比较来自所述η个开关支路的各取样电压Vcs (I) ,Vcs (2)、…、Vcs (η)是否相同，并根据比较结果将所述第一选择单元或所述第二选择单元切换为与所述η个开关支路并联连接，从而使所述选择电路输出最小取样电压。2.据权利要求1所述的选择电路，其特征在于，所述开关支路、所述第一选择单元以及所述第二选择单元中的晶体管为一金属氧化物半导体场效应管(MOSFET，Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)。3.据权利要求1所述的选择电路，其特征在于，所述多任务选择器包括: 一比较模组，用以比较所述取样电压Vcs (I)、Vcs (2)、…、Vcs (η)是否相同，并根据比较结果输出一选择 信号；以及 一选择模组，用以根据所述选择信号，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹铠任，王景弘，林晃蒂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：