【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于取样电路与取样方法,尤其关于提高取样准确度以及降低取样讯号的回转时间(slewtime)的取样电路与取样方法。
技术介绍
请参阅图1,其为习知开关增压电路(Bootstrappedswitch)的电路图。开关增压电路为常见的开关及取样电路(switchingandsamplingcircuit)。出自IEEElectronicsLetters之文献「Inputswitchconfigurationsuitableforrail-to-railoperationofswitchedopampcircuits」(1999/01,pp.8-9)即曾经对此电路作过探讨。开关增压电路100包含开关元件110、开关元件120、开关元件130、开关元件140、开关元件150、N型金氧半场效晶体管(以下简称NMOS)160以及电容元件170。开关增压电路100的输入VI及输出VO分别耦接NMOS160的源极(source)与漏极(drain)。NMOS160的栅极(gate)一方面透过开关元件150耦接至电压源V3,另一方面透过开关元件140耦接至电容元件170及开关元件110的其中一端。开关元件110的另一端耦接电压源V1。电容元件170的另一端透过开关元件120耦接至电压源V2,以及透过开关元件130耦接至NMOS160的源极与开关增压电路100的输入VI。电压源V1为高电压准位VDD,而电压源V2及电压源V3则耦接至 ...
【技术保护点】
一种取样电路,用来取样一输入电压并产生一输出电压,包含:一开关元件,具有一控制端,于一第一开关状态不导通,并于一第二开关状态导通使该输出电压等于该输入电压;一电容元件,耦接该开关元件;一第一开关元件组,耦接该电容元件;一第二开关元件组,耦接该电容元件;一电压缓冲单元,耦接该开关元件、该电容元件、该第一开关元件组及该第二开关元件组,具有大的输入阻抗,且其输入端耦接该输入电压,输出端提供与该输入电压相等或近似的电压;其中,在该第一开关状态时,该第一开关元件组导通,且该第二开关元件组不导通,使该电容元件充电以在其两端产生一电压差,且在该第二开关状态时,该第一开关元件组不导通,且该第二开关元件组导通,使该输入电压经由该电压缓冲单元及该电容元件耦接至该开关元件的该控制端,使该控制端的电压实质上等于或近似该输入电压与该电容元件的该电压差的总合。
【技术特征摘要】
1.一种取样电路,用来取样一输入电压并产生一输出电压,包含:
一开关元件,具有一控制端,于一第一开关状态不导通,并于
一第二开关状态导通使该输出电压等于该输入电压;
一电容元件,耦接该开关元件;
一第一开关元件组,耦接该电容元件;
一第二开关元件组,耦接该电容元件;
一电压缓冲单元,耦接该开关元件、该电容元件、该第一开关
元件组及该第二开关元件组,具有大的输入阻抗,且其输入端耦接
该输入电压,输出端提供与该输入电压相等或近似的电压;
其中,在该第一开关状态时,该第一开关元件组导通,且该第
二开关元件组不导通,使该电容元件充电以在其两端产生一电压差,
且在该第二开关状态时,该第一开关元件组不导通,且该第二开关
元件组导通,使该输入电压经由该电压缓冲单元及该电容元件耦接
至该开关元件的该控制端,使该控制端的电压实质上等于或近似该
输入电压与该电容元件的该电压差的总合。
2.根据权利要求1所述的取样电路,其中该电压缓冲单元为一运算放
大器,具有一反相输入端、一非反相输入端及一输出端,该非反相
输入端耦接该输入电压,该反相输入端耦接该输出端,该输出端耦
接至该电容元件。
3.根据权利要求1所述的取样电路,其中该电压缓冲单元包含:
一运算放大器,具有一反相输入端、一非反相输入端及一输出
端,该非反相输入端耦接至地;
一第一电阻,一端耦接至该反相输入端,另一端耦接至该输入
电压;
一第二电阻,一端耦接至该反相输入端,另一端耦接至该输出
端;以及
一反相器,其输入端耦接至该运算放大器的该输出端,其输出
端耦接至该电容元件;
其中该第一电阻的电阻值与该第二电阻的电阻值相近或相等,
使该反相器的输出端的电压实质上等于或近似该输入电压。
4.根据权利要求1所述的取样电路,其中该电压缓冲单元包含:
一运算放大器,具有一反相输入端、一非反相输入端及一输出
端,该非反相输入端耦接至该输入电压;
一第一电阻,一端耦接至该反相输入端,另一端耦接至地;以
及
一第二电阻,一端耦接至该反相输入端,另一端耦接至该输出
端;
其中该第一电阻的电阻值大于该第二电阻的电阻值,以使该输
出端的电压与该输入电压近似或相等。
5.根据权利要求1所述的取样电路,其中该开关元件为一N型金氧半
场效晶体管,其源极耦接该输入电压,其漏极提供该输出电压,其
栅极为该控制端。
6.根据权利要求5所述的取样电路,其中该第一开关元件组包含:
一第一开关元件,耦接该电容元件的一第一端及一第一参考电
位;
一第二开关元件,耦接该电容元件的一第二端及一第二参考电
位;以及
一第三开关元件,耦接该N型金氧半场效晶体管的该栅极及该
第二参考电位;以及
该第二开关元件组包含:
一第四开关元件,耦接该电容元件的该第二端及该电压缓冲单
元;以及
一第五开关元件,耦接该N型金氧半场效晶体管的该栅极及该
电容元件的该第一端。
7.一种取样方法,用以取样一输入电压以产生一输出电压,该取样方
法包含:
提供一开关元件,该开关元件具有一控制端,并且于导通状态
时使该输出电压等于该输入电压;
提供一电容元件,该电容元件耦接该开关元件;
提供一第一开关元件组,该第一开关元件组耦接该电容元件;
提供一第二开关元件组,该第二开关元件组耦接该电容元件;
提供一电压缓冲单元,该电压缓冲单元耦接该开关元件、该电
容元件、该第一开关元件组及该第二开关元件组,具有大的输入阻
抗,且其输入端耦接该输入电压,输出端提供与该输入电压相等或
近似的电压;
于一第一开关状态时,控制该第一开关元件组导通,且该第二
开关元件组不导通,使该电容元件充电以在其两端产生一电压差;
第一第二开关状态时,控制该第一开关元件组不导通,且该第
二开关元件组导通,使该输入电压经由该电压缓冲单元及该电容元
\t件耦接至该开关元件的该控制端,使该控制端的电压实质上等于或
近似该输入电压与该电容元件的该电压差的总合。
8.根据权利要求7所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:江明澄,高立龙,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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