【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种电离规。
技术介绍
当代科技发展迅猛，在许多高新
都需要真空环境，如:宇宙空间的模拟，超导技术，核聚变反应，超低温和巨型粒子加速器技术等。而在超高真空领域，真空测量是其中必不可少的重要环节。电离规是测量气体压强即真空度的ー种重要器件。为进一步提供体积小、功耗小及结构简单的超闻真空和极闻真空测量的真空规管，以适用于太空科技、超低温和巨型粒子加速器等领域，清华大学电子工程系陈丕瑾和李幼哲在八十年代发展的微电离规(參见《真空技术的科学基础》，1987年，国防出版社)基础上发展了 一种静电鞍场规。该静电鞍场规利用静电鞍场约束的电子振荡可以产生极长的电子路径因而可获得极高灵敏度。1996年，陈丕瑾和齐京在中国专利第CN96209398.X号揭露ー种具有极低吸放气率的高真空微电离规。该高真空微电离规由金属外壳、陶瓷芯柱、离子收集极、阳极环和电子发射体组成。金属外壳的一端与陶瓷芯柱相熔封，金属外壳另一端与待测器件相接，离子收集极与电子发射体组件相对阳极环同轴非対称安装于金属外壳内。电子发射体组件包括钨灯丝与反射扱。由于该高真空微电离规内电子发射体和收集极相对阳极环同轴非对称设置，所以灵敏度降低，并且采用热阴极发射体，工作温度较高，功耗较大。另外，该高真空微电离规包括一金属外壳，结构较复杂，所以限制了其应用领域。而且，现有技术中利用静电鞍场约束的电子振荡原理的电离规，为了得到稳定的鞍形电场，电离规结构中一般包括外壳，外壳可为金属外壳或玻璃外壳。当为玻璃外壳时，需要在壳内壁镀上ー层导电膜，并在其上加偏置电压或屏蔽电压，以保证外壳上的电势稳定。所以，...
【技术保护点】
一种电离规，用于测量具有导体外壳的真空系统的真空度，该电离规包括阴极装置、阳极装置和离子收集装置，所述阴极装置与所述离子收集装置设置于所述阳极装置的两侧并与所述阳极装置间隔设置，所述阴极装置进一步包括电子发射体，所述电子发射体延伸向所述阳极装置并与所述阳极装置间隔设置，其特征在于，所述电子发射体包括至少一个碳纳米管线，所述电离规直接设置在待测真空系统的导体外壳中。
【技术特征摘要】
1.一种电离规，用于测量具有导体外壳的真空系统的真空度，该电离规包括阴极装置、阳极装置和离子收集装置，所述阴极装置与所述离子收集装置设置于所述阳极装置的两侧并与所述阳极装置间隔设置，所述阴极装置进ー步包括电子发射体，所述电子发射体延伸向所述阳极装置并与所述阳极装置间隔设置，其特征在于，所述电子发射体包括至少ー个碳纳米管线，所述电离规直接设置在待测真空系统的导体外壳中。2.按权利要求1所述的电离规，其特征在于，所述电子发射体靠近所述阳极装置的一端为电子发射端，该电子发射端与所述阳极装置的距离为I毫米、毫米。3.按权利要求2所述的电离规，其特征在干，所述电子发射端包括多个突出的电子发射尖立而。4.按权利要求3所述的电离规，其特征在于，所述电子发射尖端包括多个基本平行排列的碳纳米管，所述电子发...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳鹏，周段亮，张春海，齐京，陈丕瑾，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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