半导体测试夹具以及使用该夹具的耐压测定方法技术

本发明专利技术的目的在于提供能够不产生大气放电而廉价地对半导体芯片进行耐压测定的半导体测试夹具及使用了该夹具的耐压测定方法。本发明专利技术的半导体测试夹具具有：基座（1），配设有探针（3）和以在平面视图中包围探针（3）的方式设置绝缘物（2）；下电极载置台（7），与基座（1）的配设有探针（3）及绝缘物（2）的一侧的面对置配置，能够在基座（1）侧的面上载置半导体芯片（4），在下电极载置台（7）上载置半导体芯片（4），在使基座（1）和下电极载置台（7）向彼此接近的方向移动时，探针（3）与在半导体芯片（4）上形成的表面电极（5）接触，并且绝缘物（2）与半导体芯片（4）以及下电极载置台（7）这二者接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体测试夹具以及使用了该半导体测试夹具的耐压测定方法，特别涉及能够适合使用于宽带隙半导体的耐压测定的半导体测试夹具以及使用了该半导体测试夹具的耐压测定方法。
技术介绍
对于使用了作为高耐压的半导体的宽带隙半导体的功率器件半导体来说，在安装于封装之前的芯片的状态下进行电特性的测定(以下，也称为测试)。在电特性的测定项目中包括耐压测定。对功率器件来说，耐压作为重要的性能之一而被举出，耐压测定是必定应该进行的项目。作为以往的用于对一般的高耐压功率器件半导体的芯片(以下，也称为半导体芯片)的电特性进行测定的装置，例如有如下装置:使探针与在载置台上载置的半导体芯片的表面接触并施加电压，由此，进行电特性的试验(测定K例如，参照专利文献I)。另外，还存在将半导体晶片(芯片)浸溃到绝缘溶液中对电特性进行测定的装置(例如，参照专利文献2、3)。专利文献1:日本特开2006-337247号公报(图10)； 专利文献2:日本特开2003-100819号公报； 专利文献3:日本特许第4482061号公报。高耐压的功率器件半导体具有数百伏以上的耐压，从在半导体芯片的表面所形成的电极至芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体测试夹具，其特征在于，具有：夹具座，配设有探针和以在平面视图中包围所述探针的方式设置的绝缘物；以及载置台，与所述夹具座的配设有所述探针以及所述绝缘物的一侧的面对置配置，能够在所述夹具座侧的面上载置被检体，在所述载置台上载置所述被检体并使所述夹具座和所述载置台向彼此接近的方向移动时，所述探针与在所述被检体上形成的电极接触，并且，所述绝缘物与所述被检体以及所述载置台这二者接触。

【技术特征摘要】
2011.11.01 JP 2011-2398411.一种半导体测试夹具，其特征在于，具有: 夹具座，配设有探针和以在平面视图中包围所述探针的方式设置的绝缘物；以及载置台，与所述夹具座的配设有所述探针以及所述绝缘物的一侧的面对置配置，能够在所述夹具座侧的面上载置被检体， 在所述载置台上载置所述被检体并使所述夹具座和所述载置台向彼此接近的方向移动时，所述探针与在所述被检体上形成的电极接触，并且，所述绝缘物与所述被检体以及所述载置台这二者接触。2.按权利要求1所述的半导体测试夹具，其特征在于， 所述绝缘物接触到所述被检体的所述夹具座侧的面、与该面连续的侧面的至少一部分、所述载置台。3.按权利要求1或2所述的半导体测试夹具，其特征在于， 所述绝缘物的由依照JISK6253的E型硬度计测定的硬度是5 30，并且所述绝缘物具有高绝缘性。4.按权利要求1或2所述的半导体测试夹具，其特征在于， 所述绝缘物的从所述夹具座突出的部分的长度是所述探针的从所述夹具座突出的部分的长度与所述探针的行程之差的1.0 2.0倍。5.按权利要求1或2所述的半导体测试夹具，其特征在于， 所述探针的从所述夹具座突出的部分的长度是3.0 10.00mm，并且，所述探针的所述行程是0.5 6.0mm。6.按权利要求1或2所述的半导体测试夹具，其特征在于， 所述探针是包括弹簧探针、线探针或者层叠探针的垂直式探针。7.按权利要求1或2所述的半导体测...

【专利技术属性】
技术研发人员：池上雅明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：