识别缺陷类型的方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种识别缺陷类型的方法，包括：提供一晶片，所述晶片经过了光刻工艺或刻蚀工艺的处理，且该晶片上具有一个或多个缺陷；采用预设强度的光照射所述晶片，在照射预定时间后，比较照射前后所述晶片上的缺陷的变化，或在照射过程中观测该晶片上缺陷的变化，若经照射后某个缺陷变小或消失，则该缺陷为挥发性缺陷，否则，为非挥发性缺陷。本发明专利技术实施例仅通过一次照射过程即可识别缺陷类型，从而避免了现有技术中分析缺陷的元素成分等一系列复杂的操作，该方法能够在短时间内识别出挥发性缺陷，缩短了产品的生产周期，且该识别方法简单易操作，减轻了工作人员的工作量，节省了计算机硬件资源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
随着超大规模集成电路(ULSI, Ultra Large Scale Integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细，对光刻效果的要求也越来越严格。对于目前0.18 μ m及以下技术节点的光刻和刻蚀工艺来说，在完成光刻和刻蚀工艺之后，主要是刻蚀工艺完成后，需检测光刻和刻蚀的缺陷，这些缺陷包括挥发性缺陷和非挥发性缺陷。对于非挥发性缺陷，如果不能提前检测并识别，并在识别后进行相应的处理，如重新进行光刻和刻蚀，很可能影响器件CD (关键尺寸)，使得器件CD超出规格(简称00S)或超出控制线(简称00C)，或者导致缺陷异常，从而造成不必要的返工，延长了器件的生产周期。对于挥发性缺陷，如光刻后的挥发性缺陷多为水迹，刻蚀后的挥发性缺陷多为各种元素的聚合物，如磷聚合物和溴聚合物等，这些挥发性缺陷在识别后无需进行重新光刻和刻蚀等复杂的处理步骤，即可去除。因此为了避免对缺陷的处理方式出现错误而导致的器件性能降低，如何准确的识别出挥发性缺陷和非挥发性缺陷在芯片的生产过程中是非常重要的。由于挥发性缺陷与非挥发性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种识别缺陷类型的方法，其特征在于，包括：提供一晶片，所述晶片经过了光刻工艺或刻蚀工艺的处理，且该晶片上具有一个或多个缺陷；采用预设强度的光照射所述晶片，在照射预定时间后，比较照射前后所述晶片上的缺陷的变化，或在照射过程中观测该晶片上缺陷的变化，若经照射后某个缺陷变小或消失，则该缺陷为挥发性缺陷，否则，为非挥发性缺陷。

【技术特征摘要】
1.一种识别缺陷类型的方法，其特征在于，包括: 提供一晶片，所述晶片经过了光刻工艺或刻蚀工艺的处理，且该晶片上具有一个或多个缺陷； 采用预设强度的光照射所述晶片，在照射预定时间后，比较照射前后所述晶片上的缺陷的变化，或在照射过程中观测该晶片上缺陷的变化，若经照射后某个缺陷变小或消失，则该缺陷为挥发性缺陷，否则，为非挥发性缺陷。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述照射过程具体为，采用扫描电子显微镜或关键尺寸检测仪对所述晶片进行照射。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述照射过程发生的时间为: 在所述晶片经过光刻工艺处理后，刻蚀工艺前的刻蚀等待时间内进行； 和/或在所述晶片经过刻蚀工艺处理，并去除所述晶片表面上的减反射层和刻蚀阻挡层后的时间内进行。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述晶片经过光刻工艺处理后...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，简志宏，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：