【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于无机纳米材料领域，具体涉及一种氧化铜和氧化锌半导体纳米材料的制备方法。
技术介绍
纳米尺度金属氧化物半导体的理化性质与块材有着很大区别，因而针对金属氧化物半导体纳米材料的研究得到了极大关注。氧化铜(CuO)和氧化锌(ZnO)是两种重要的半导体材料，它们在催化剂、气相和生物传感器、纳米结构变阻器、紫外吸收剂、色素增感太阳能电池、发光二极管、氢存储等领域有着广泛的应用。研究和应用中发现，进入纳米尺度后，颗粒尺寸和形貌对半导体化合物的理化性能及其应用方向有着非常大的影响，因此在过去十几年中出现了很多用以控制CuO或ZnO纳米材料尺寸和形貌的合成工艺，如固相反应法、水热法、溶胶凝胶法、化学沉淀法、化学气相沉积法，等等。但是，这些合成方法大多仍然存在着明显不足，如产品纯度不足、工艺复杂等。因此，寻求 简单高效且形貌可控的CuO和ZnO纳米材料合成方法仍是现阶段的一个研究热点。本专利技术公开了一种新的、简单的金属氧化物半导体纳米材料的制备方法。该方法可以得到高纯度的氧化铜和氧化锌纳米材料，产物具有独特的纳米形貌。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型的金...
【技术保护点】
一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：取目标金属作为两个相对的电极，连接脉冲直流电源形成放电回路，并将两电极以相对且保持一定间距的位置浸没在水中；在保持搅拌的情况下，连通电路以使两电极之间产生高能量等离子体；依据产量要求控制反应时间，待放电结束后，溶液经过滤或离心分离、干燥即得到对应的金属氧化物半导体纳米材料。
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤:取目标金属作为两个相对的电极，连接脉冲直流电源形成放电回路，并将两电极以相对且保持一定间距的位置浸没在水中；在保持搅拌的情况下，连通电路以使两电极之间产生高能量等离子体；依据产量要求控制反应时间，待放电结束后，溶液经过滤或离心分离、干燥即得到对应的金属氧化物半导体纳米材料。2.权利要求1所述金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，具体包括以下步骤: 1)金属电极对的准备 选取两根直径相同的金属棒，然后在两根金属棒外套上内径与金属棒直径相同的氧化铝绝缘管，接着将其固定在内径与氧化铝绝缘管外径相同的特氟龙管中，即得到金属反应电极； 然后，将金属反应电极以水平相对的位置通过容器壁上的孔安装到绝缘容器上，两电极之间间距在0.1-1mm,电极之间夹角为180°，连接脉冲直流电源以形成放电回路； 2)金属氧化物半导体纳米材料的制备 在步骤I的绝缘容器中加入水，确保金属电极对被水浸没且水面到电极的距离大于IOmm;在体系保持搅拌的情况下，连通电路，通过电源控制仪表盘选定脉冲频率和脉冲宽度，调节电压直到电极之间等离子体产生 ；固定上述电压、脉冲频率和脉冲宽度...
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