烤烟半膜覆盖栽培方法技术

本发明专利技术公开了一种烤烟半膜覆盖栽培方法，该方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄的肩部地膜边缘开种植孔进行烟苗栽培。本发明专利技术的优点是：（1）烤烟实施一垄双行，实现了宽窄行移栽，利于烤烟后期田间通风透光，提高烟叶品质。（2）烤烟中后期生长过程中，根系处于膜内和膜外两个部位，综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点，利于烤烟正常生长。（3）地膜边缘与底肥相连，烟株根系与地膜、底肥靠近而接触，有利于降雨顺膜流入根系周围，溶解了肥料，滋润了烟株根系，提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。（4）因地膜边缘与烟株茎基部相邻，站在垄上揭膜，保证地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低“白色污染”。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及烤烟大田半膜覆盖栽培方法，属于作物覆盖栽培

技术介绍
垄作是作物栽培中一种较为普遍的方式，在烤烟生产中广泛使用。它对增加土层厚度，保墒防旱，通风防病，增加土体表面积，扩大受光面，提高地温，进而促进作物根系发育有积极作用。在我国贵州高原烟区，土层和耕层薄，土壤肥力低，保肥保水能力差。虽然全省年均降雨量在IOOOmm以上，理论上完全能够满足烤烟生产的需要，但是受季节性干旱、降雨分布不均匀，过度降雨地表径流损失等影响，在烤烟移栽时常常受干旱影响推迟移栽时间；烤烟旺长期常出现旱灾和涝灾，成熟期又受伏旱胁迫，限制了本区烤烟产量稳定与烟叶质量提升。该区受高原气候的影响，烤烟生长季节气温较低，地膜使用极为普遍，导致“白色污染”日趋严重。同时现有地膜种植的常规模式为全膜覆盖，作物栽种在地膜全覆盖区域，为达到较好的保温效果，作物的根系均被包覆在地膜下方。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种优化烤烟生长环境，方便地膜回收，减少“白色污染”的，可以克服现有技术的不足。本专利技术的技术方案:是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄上地膜边沿的内侧或外侧 开种植孔进行烟苗栽培。所述的种植孔为井窖式移栽孔。地膜的宽度90-100cm,厚度 0.008cm。在地垄上地膜的边沿处开设施肥沟，在施肥沟内施底肥，后在其施肥沟上盖土压紧地膜边沿。在烤烟采收结束后，揭开地膜，进行回收。施肥沟的宽度为15-20cm、深度为15_20cm。种植孔位于地垄上地膜边沿的内侧或外侧，种植孔的孔口直径8cm，种植孔孔口圆心到膜边沿的距离为5cm。垄底宽度为210cm，土烟垄高20±3cm，田烟垄高25±3cm。与现有技术比较，本专利技术将地膜覆盖于地垄的顶部，烟苗移栽于地垄上地膜边沿的内侧或外侧，这样本专利技术的优点是:(I)烤烟实施一垄双行，实现了宽窄行移栽，利于烤烟后期田间通风透光，提高烟叶品质，同时有利于农事操作。(2)烤烟中后期生长过程中，根系处于膜内和膜外两个部位，综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点，利于烤烟正常生长。(3)地膜边缘与底肥相连，烟株根系与地膜、底肥靠近而接触，有利于降雨顺膜流入根系周围，溶解了肥料，滋润了烟株根系，提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。(4)因地膜边沿与烟株茎基部相邻，且地膜较厚，站在垄上揭膜，保证地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低“白色污染”。(5)半膜覆盖减少了地膜用量，减少种植投入。(6)打破了现有地膜种植的惯有思维。附图说明图1为本专利技术的结构示意 图2为本专利技术的另一种结构示意图。具体实施例方式实施例1:如图1所示，本专利技术的具体实施步骤为 (1)选地:选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地； (2)整地:起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物； (3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高(C)20±3cm，田烟垄高(C)25 ± 3cm，垄面略 呈弧形，保证不集雨； (4)施基肥:在地垄I的肩部，距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量； (5)覆膜:用宽度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧； (6)栽烟:在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按专利技术专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行； (7)揭膜:在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于回收再利用； (8)其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。实施例2:如图2所示，本专利技术的具体实施步骤为 (1)选地:选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地； (2)整地:起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物； (3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高(C)20±3cm，田烟垄高(C)25 ± 3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨； (4)施基肥:在地垄I的肩部，距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量； (5)覆膜:用宽度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧； (6)栽烟:在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按专利技术专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行； (7)揭膜:在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于回收再利用； (8)其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。实施例3:如图2所示，本专利技术的具体实施步骤为 (I)选地:选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；(2)整地:起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物； (3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高(C)20±3cm，田烟垄高(C)25 ± 3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨； (4)施基肥:在地垄I的肩部，距地垄中心线45cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量； (5)覆膜:用宽度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧； (6)栽烟:在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按专利技术专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行； (7)揭膜:在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于来年再用； (8)其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。实施例4:如图2所示，本专利技术的具体实施步骤为 (1)选地:选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地； (2)整地:起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物； (3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高(C)20±3cm，田烟垄高(C)25 ± 3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨； (4)施基肥:在地垄I的肩部，距地垄中心线45c`m处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量； (5)覆膜:用宽度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧； (6)栽烟:在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按专利技术专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行； (7)揭膜:在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于来年再用； (8)其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种烤烟半膜覆盖栽培方法，其特征在于：该方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄上地膜两边沿的内侧或外侧开种植孔进行烟苗栽培。

【技术特征摘要】
1.一种烤烟半膜覆盖栽培方法，其特征在于:该方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄上地膜两边沿的内侧或外侧开种植孔进行烟苗栽培。2.根据权利要求1所述的烤烟半膜覆盖栽培方法，其特征在于:所述的种植孔为井窖式移栽孔。3.根据权利要求1所述的烤烟半膜覆盖栽培方法，其特征在于:地膜的宽度90_100cm,厚度 0.008cm。4.根据权利要求1、2或3所述的烤烟半膜覆盖栽培方法，其特征在于:在地垄上地膜的两边沿处开设施肥沟，在施肥沟内施底肥，后在其施肥沟上盖土压紧地膜边沿。5.根据权利要求4所述的烤烟半膜覆盖栽...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘文杰，高维常，陈伟，陈懿，李继新，梁贵林，邱雪柏，林叶春，廖成松，
申请(专利权)人：贵州省烟草科学研究院，
类型：发明
国别省市：