介质烧结体及其制造方法以及介质谐振器技术

本发明专利技术涉及介质烧结体及其制造方法以及介质谐振器。本发明专利技术的介质烧结体包含作为主要成分的Ba、Nb以及Zn和Co中的至少一种，以及作为次要成分的K和Ta。在X射线衍射测量中的（111）面峰值的峰值强度p2与（310）面峰值的峰值强度p1的比率A为0.9至1.5。（111）面峰值的半带宽C的范围是0.12至0.22°。（111）面峰值的d值D的范围是2.363至2.371。该介质烧结体具有钙钛矿结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种应用于例如介质谐振器、介质滤波器、介质天线以及介质基底的介质烧结体。本专利技术还涉及制造上述介质烧结体的方法以及还涉及介质谐振器。
技术介绍
已经对各种组分的介质烧结体进行研究以使其应用于诸如微波和毫波(milliwave)的高频范围。在这些介质烧结体中，基于BaZnCoNb (以下称为“BZCN”，参见专利文献I和2)的介质烧结体具有优良的稳定性，这是因为它们具有相对大的Q值(无负载情况下的品质因数)、适度地大的相对介电常数以及小谐振频率温度系数。现有技术文献专利文献专利文献I JP-A-2003-201177专利文献2 JP-A-2004-315330
技术实现思路
本专利技术解决的问题 然而，现有技术的BZCN基介质烧结体的Q值随烧结体不同而呈现很大变化，且这样的介质烧结体在工业生产中缺乏稳定性。基于上述情况提出本专利技术，且本专利技术的目的是提供一种具有大Q值和小Q值变化的介质烧结体及其制造方法以及一种介质谐振器。解决问题的手段本专利技术的介质烧结体包含作为主要成分的Ba、Nb以及Zn和Co中的至少一种，以及作为次要成分的K和Ta，在X射线衍射测量中的(111本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.02 JP 2010-1968531.一种介质烧结体，包括: 作为主要成分的Ba、Nb以及Zn和Co中的至少一种；以及 作为次要成分的K和Ta; 具有0.9至1.5的在X射线衍射测量中的(111)面峰值的峰值强度p2与(310)面峰值的峰值强度Pl的比率A， 具有范围从0.12至0.22°的所述(111)面峰值的半带宽C， 具有范围从2.363至2.371的所述(111)面峰值的d值D，以及 具有钙钛矿结构。2.根据权利要求1所述的介质烧结体，其中所述介质烧结体包括Ba5Nb4O15结晶相。3.根据权利要求1或2所述的介质烧结体，其中所述介质烧结体还包括氧化锆。4.根据权利要求3的所述介质烧结体，其中包括的所述氧化锆小于0.3wt%...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田聪，粕谷祐贵，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：
国别省市：