【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及。
技术介绍
阻变存储器(RRAM，RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY)是在上下两个金属电极中间夹一层阻变材料的平板电容结构，由于其结构简单和性能优异，成为下一代存储器应用的最有潜力竞争者，因此受到人们的广泛关注和研究。RRAM主要是靠阻变材料内部氧空位的移动或者是栅极金属离子的移动而形成导电通道使高阻态的电阻材料变为低阻。传统的RRAM的工作状态如下:初始状态下，阻变材料呈高阻态，此时的阻值为RH;当两电极之间的电压增大到一定电压时，两电极之间的电流急剧增大，阻变材料变为低阻，此时的阻值为RL，电压为Vset ;当所加电压为某一值后，两电极之间的电流又急剧变小，此时的阻值又变为RH，电压为Vreset。为了实现更高集成度的RRAM，必须实现多值存储，即每一个RRAM可以在不同的条件下实现稳定的超过两个值的阻值。现有技术中，实现多值存储的方式是在传统RRAM结构的基础上，通过控制施加在两电极间的电压或电流来调节阻变材料内形成的导电通道的尺寸或导电性，从而达到实现多个阻值的目的。然而，由于导电通道...
【技术保护点】
一种多值阻变存储器，其特征在于，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态。
【技术特征摘要】
1.一种多值阻变存储器，其特征在于，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态。2.根据权利要求1所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述至少两层阻变层在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态时，相邻两阻值之间的比值大于阈值。3.根据权利要求2所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述阈值为10。4.根据权利要求2所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述中间层包括三层阻变层。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述下电极包括在所述衬底表面上平行排列的多条下电极条，所述上电极包括在所述阻变层表面上平行排列的多条上电极条。6.根据权利要求5所述的多值阻变存储器，其特征在于，所述上电极条与所述下电极条呈十字交叉。7.一种多值阻变存储器制备方法，其特征在于，包括: 在衬底上形成下电极； 在所述下电极上形成中间层，所述中间层包括至少两层阻变层，...
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