一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法技术

本发明专利技术涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和He气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层。使用本发明专利技术制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及大气等离子喷涂
，具体涉及一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。
技术介绍
目前，低温等离子体微细加工方法是材料微纳加工的关键技术，它是微电子、光电子、微机械、微光学等制备技术的基础，特别是在超大规模集成电路制造工艺中，有近三分之一的工序是借助于等离子体加工完成的，如等离子体薄膜沉积、等离子体刻蚀及等离子体去胶等。其中等离子体刻蚀为最关键的工艺流程之一，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片上的不可替代的工艺。在刻蚀工艺过程中，由于存在大量的具有强腐蚀性的活性自由基(如Cl*，Cl2*,F*，CF*等)，它们对等离子刻蚀工艺腔的内表面也会产生腐蚀作用，引起污染，影响刻蚀效果，并且会使刻蚀工艺腔失效。早期的90年代的等离子刻蚀设备，在较小功率和单一等离子体发生源的情况下，在铝基体层上加Al2O3涂层就可以满足等离子体对刻蚀工艺腔的蚀刻损伤。进入到300mm设备·,随着等离子功率越来越大,等离子体对刻蚀工艺腔壁的损伤也越来越大，使得在刻蚀的过程容易发生如下问题:(1)颗粒；(2)工艺腔壁涂层剥落，导致等离子体直接与铝基体发生作用；(3)A1203零部件的寿命受到更高功率的限制。所以需要寻找一种新的途径对刻蚀工艺腔内表面进行改性，满足刻蚀工艺的需要。研究表明，Y2O3涂层对刻蚀工艺腔具有良好的保护作用。与Al2O3相比，Y2O3的化学性质非常稳定，具有优异的耐等离子蚀刻性能，并且和CF系气体生成的反应产物YF3蒸气压低，作为颗粒难以飞散。以Y2O3粉末作为喷涂材料，利用大气等离子喷涂方法，在刻蚀工艺腔内表面制备出单一结构的Y2O3涂层，能够有效解决上述Al2O3涂层所面临的各种问题。大气等离子喷涂是用N2、Ar、H2&He等作为离子气，经电离产生等离子高温高速射流，将输入材料熔化或熔融喷射到工作表面形成涂层的方法。其中的等离子电弧温度极高，足够融化包括Y2O3在内的所有的高熔点陶瓷粉末；射流中的熔融粉末动能大，与基体接触后能充分展开、层叠，有效提高涂层结合强度，降低孔隙率。是制备高性能、高质量陶瓷涂层的关键技术。等离子喷涂工艺中，气体环境会对涂层的最终性能有很大程度的影响。气体的选择原则主要是考虑实用性和经济性。具体的要求是:(1)性能稳定，不与喷涂材料发生有害反应；(2)热焓高，适合于难熔材料，但又不应过高而烧蚀喷嘴；(3)应选择与电极或喷嘴不发生化学作用的气体；(4)成本低廉，供应方便。等离子喷涂常用气体主要有N2、Ar、H2和He等。N2是双原子气体，故等离子焰流的热焓值较高，有利于粉末的加热和熔化，又有较高的电离电位(15.8V)，因此热量的利用效率高。同时来源广泛，价格便宜，因此是等离子喷涂中的最常用工作气体。其缺点是高温下容易与粉末反应，保护效果较差。Ar是单原子气体，在升温电离直接吸收热量发生电离，升温很快，同时不与任何粉末发生反应，保护性能好。但其弧电压较低，导热系数小，很少单独使用，且价格昂贵，来源较少。He也是单原子气体，电离电压24.5V，热焓值高，黏度高，一定量的He能够有效的稳定电弧。H2电离电位低，具有最高的导热系数，有助于粉末熔化。对金属材料有很强的还原性，可以防止氧化。此外，在Ar中计入少量H2,能有效提高等离子体弧的电压和功率。在实际的Y2O3等离子喷涂工艺中，如果采用来源广泛、传统的Ar/H2作为离子气体，经常会导致Y2O3涂层在局部出现不均匀黑色斑点。这是由于H2的还原特性，在喷涂过程中与Y2O3粉末发生了还原反应，而缺氧状态的Y2O3粉末会呈现出黑色。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，可在等离子刻蚀工艺腔内表面制备出性能优异的Y2O3涂层。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为: 一种Y2O3耐侵蚀陶·瓷涂层的制备方法，包括如下步骤: 步骤(I)，选择纯度大于99.95%的Y2O3粉末； 步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理； 步骤(3)，选择Ar和He气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层。上述方案中，所述步骤(I)中的Y2O3粉末的粒度为5 50iim。上述方案中，所述步骤(2)中对被喷涂的基材表面进行预处理，具体包括如下步骤:对被喷涂的基材表面进行喷砂处理，并用丙酮清洗。上述方案中，所述喷砂处理采用的喷砂材料为白刚玉，喷砂粒度为50 100 iim。上述方案中，所述步骤(3)中Ar气体的流量为40 90L/min，He气体的流量为2 10L/mino上述方案中，所述步骤(3)中等离子体喷涂设备的电弧电压为40 50V，电弧电流为800 900A，送粉速度为15 100g/min，喷涂距离为80 135mm，送粉角度为50° 90 ° o上述方案中，所述步骤(3)中等离子喷涂的过程中，采用空气喷吹方法或者循环水冷方法来冷却所述被喷涂的基材，所述空气喷吹方法中冷却气体的流量为100 2000L/min,所述循环水冷方法中冷却水的流量为10 500L/min。与现有技术方案相比，本专利技术采用的技术方案产生的有益效果如下: 使用本专利技术制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。附图说明图1为本专利技术实施例中具有立方相结构的Y2O3粉末的XRD图谱； 图2为本专利技术实施例中Y2O3粉末的扫描电镜形貌 图3为本专利技术实施例中具有立方相结构的Y2O3涂层的XRD图谱； 图4为本专利技术实施例中Y2O3涂层的扫描电镜形貌 图5为本专利技术实施例中Y2O3涂层的截面形貌图；图6为本专利技术实施例中在Ar和H2条件下制备的Y2O3涂层表面照片； 图7为本专利技术实施例中在Ar和He条件下制备的Y2O3涂层表面照片。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术技术方案进行详细描述。本专利技术实施例提供一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，具体包括如下步骤: (1)选择Y2O3粉末，粒度范围为5 50ii m，粉末应具有单一的立方相结构，Y2O3粉末的XRD图谱如图1所示；粉末的原始粒径为40 60nm，二次造粒后粒径为为5 50 y m，如图2所示，造粒后的大颗粒粉末呈多孔结构的球形，是由纳米小颗粒组装成的中空微米小球，具有极佳的流动性； (2)对需要被喷涂的铝基材的 刻蚀工艺腔内壁进行喷砂处理，喷砂材料为白刚玉，粒度范围为50 100 u m,并用丙酮清洗； (3)采用SluzerMetco 9MC等离子喷涂设备进行等离子喷涂,喷枪类型为9MB ;在Ar和He气体环境下进行喷涂，Ar气体的流量为40 90L/min、He气体的流量为2 10L/min ;等离子喷涂设备的电弧电压为4(T50V，电弧电流为800 900A，送粉速度为15 100g/min，喷涂距离为80 135mm，送粉角度50 90° ;在喷涂过程中，采用空气喷吹方法或者循环水冷方法来冷却被喷涂的基材，空气喷吹方法的冷却气体的流量为100 2000L/min，循环水冷方法的冷却水的流量为10 500L/min。粉末和涂层的物相组成利用X’pert PHILIPS X射线衍射仪进行测定和分析。图3为所制备的Y2O3涂层的XR本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和He气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层。

【技术特征摘要】
1.一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤(I)，选择纯度大于99.95%的Y2O3粉末； 步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理； 步骤(3)，选择Ar和He气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层。2.如权利要求1所述的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中的Y2O3粉末的粒度为5 50 ii m。3.如权利要求1所述的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中对被喷涂的基材表面进行预处理，具体包括如下步骤:对被喷涂的基材表面进行喷砂处理，并用丙酮清洗。4.如权利要求1所述的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，所述喷砂处理采用的喷砂材料为白刚玉，喷砂粒度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文东，罗小晨，刘邦武，夏洋，李勇滔，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：