一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法技术

本发明专利技术涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层；步骤（4），将喷涂Y2O3涂层的基材置于等离子氧处理设备中，进行等离子氧处理。使用本发明专利技术制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。

【技术实现步骤摘要】
一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
本专利技术涉及大气等离子喷涂
，具体涉及一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。
技术介绍
当前，低温等离子体微细加工方法已成为材料微纳加工的一项关键技术，它是微电子、光电子、微机械、微光学等制备技术的基础，特别是在超大规模集成电路制造工艺中，有近三分之一的工序是借助于等离子体加工完成的，如等离子体薄膜沉积、等离子体刻蚀及等离子体去胶等。其中等离子体刻蚀为最关键的工艺流程之一，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片上的不可替代的工艺。在等离子体干法刻蚀工艺过程中，存在大量的具有强腐蚀性的活性自由基（如Cl*,Cl2*,F*,CF*等），它们会对等离子刻蚀工艺腔的内表面产生腐蚀作用，引起污染，影响刻蚀效果，并且会使刻蚀工艺腔失效。早期的90年代的等离子刻蚀设备，在较小功率和单一等离子体发生源的情况下，在铝基体层上加Al2O3涂层就可以满足等离子体对刻蚀工艺腔的蚀刻损伤。进入到300mm设备，随着等离子功率越来越大，等离子体对刻蚀工艺腔壁的损伤也越来越大，使得在刻蚀的过程容易发生一系列问题：产生颗粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层；步骤（4），将喷涂Y2O3涂层的基材置于等离子氧处理设备中，进行等离子氧处理。

【技术特征摘要】
1.一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层；步骤(4)，将喷涂Y2O3涂层的基材置于等离子氧处理设备中，进行等离子氧处理；所述步骤(4)中等离子氧处理设备的工作参数为：等离子氧处理设备腔室的工作气压为1Pa～100Pa，工作功率为50W～500W，腔室基片的温度为50℃～200℃，等离子氧氧化时间为30min～2h，等离子氧的流量为50-300mL/min。2.如权利要求1所述的改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的Y2O3粉末的粒度为5～50μm。3.如权利要求1所述的改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中对被喷涂的基材表面进行预处理，具体包括如下步骤：对被喷涂的基材表面进行喷砂处理，并用丙酮清洗。4.如权利要求3所述的改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，所述喷砂处理采...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵花，王文东，夏洋，李勇滔，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：