一种抛光垫清洗液及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种抛光垫清洗液及其使用方法，属于硅晶片抛光垫清洗技术领域。本发明专利技术的清洗液包括聚氧乙烯醚非离子表面活性剂、清洗助剂、结块防止剂、增溶剂、润湿剂和PH调节剂，所述清洗液的pH值为8.0～10.0。在循环抛光过程中，抛光之后将本发明专利技术的抛光垫清洗液稀释20～40倍，在0.02MPa的压强下使用1～3L/min清洗液刷洗1～2min，然后以5L/min（最大流量）的流量用去离子水刷洗1min。采用本发明专利技术的清洗液及清洗方法可以有效的去除循环抛光中累积在抛光垫上的残留污垢及离子残留，增加抛光垫的保湿性，延长抛光垫的使用寿命。本发明专利技术的清洗液可以循环使用，价格便宜、成本低，在用于清洗中具有工艺简单、可控等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于硅晶片抛光垫清洗
，特别涉及一种用于硅晶片循环抛光后抛光垫清洗液的

技术介绍
以硅材料为主的半导体专用材料已是电子信息产业最重要的基础功能材料，在国民经济和军事工业中占有很重要的地位。全世界的半导体器件中有95%以上是用硅材料制成，其中85%的集成电路也是由娃材料制成。获得表面加工精度更闻的娃晶片是制造集成电路的重要环节，直接关系到集成电路的合格率。利用化学机械抛光(CMP)技术对半导体硅片表面进行平坦化处理，已经成为集成电路制造技术必不可少的工艺步骤之一。化学机械抛光过程中主要耗材为抛光液和抛光垫。为了降低成本，生产厂家一般根据抛光液的性质将抛光液稀释若干倍后循环使用，并根据抛光后硅晶片的去厚速率和表面质量更换抛光液。这样可以减少抛光液的使用量，很大程度上降低成本。然而，抛光液在循环使用过程中会造成抛光产物及有害离子在抛光液的中的累积，这些累积物会不断的沉积在抛光垫上。随着不断的循环抛光，累积在抛光垫上的残留物会堵塞抛光垫的毛孔，造成去厚速率的下降。严重情况下会结成块状物覆盖在抛光垫的表面，造成抛光后硅晶片表面变形，带来腐蚀、划伤等缺陷。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光垫清洗液，其特征在于，该清洗液包括聚氧乙烯醚非离子表面活性剂、清洗助剂、结块防止剂、增溶剂、润湿剂和PH调节剂，所述清洗液的pH值为8.0～10.0。

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫清洗液，其特征在于，该清洗液包括聚氧乙烯醚非离子表面活性剂、清洗助齐U、结块防止剂、增溶剂、润湿剂和PH调节剂，所述清洗液的pH值为8.0 10.0。2.根据权利要求1所述的抛光垫清洗液，其特征在于，该清洗液的组分配比为: 聚氧乙烯醚非尚子表面活性剂:1 10% ； 清洗助剂:0.5 5wt% ； 结块防止剂:0.1 5wt% ； 增溶剂:10 20wt% ； 润湿剂:0.01 0.lwt% ； PH调节剂:0.1 5wt% ； 去离子水:余量。3.根据权利要求1或2所述的抛光垫清洗液，其特征在于，所述的表面活性剂8wt%，清洗助剂5wt%,结块防止剂2wt%,增溶剂10wt%,润湿剂0.lwt%, PH调节剂3wt%,去离子水余量；清洗液的PH值为9.4。4.根据权利要求1或2所述的抛光垫清洗液，其特征在于，所述的聚氧乙烯醚非离子表面活性剂为肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚中的一种或几种；所述的清洗助剂为焦磷酸钠，三聚磷酸钠、四聚磷酸钠、六偏磷酸钠中的一种或几种；所述的结块防止剂为聚丙烯酸、聚丙烯酸钠、聚丙 烯酰胺、丙烯酸-烯丙醇共聚物、聚d-羟基丙烯酸、丙烯酸-马来酸共聚物中的一种或几种；所述的增溶剂为乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或几种；所述的润湿剂为氟碳表面活性剂，包括阴离子、阳离子、非离子、两性氟碳表面活性剂中的一种或几种；所述的PH调节剂为氨水、碳酸铵、碳酸氢铵、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈高攀，潘国顺，顾忠华，龚桦，邹春莉，
申请(专利权)人：深圳市力合材料有限公司，清华大学，深圳清华大学研究院，
类型：发明
国别省市：