【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体晶片等被加工物上形成激光加工孔的激光加工 装置。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上， 使用呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线来划分出多个区域，并在该划分出的区域中形成IC (集成电路)、LSI (大规模集成电路)等器 件。然后，通过沿着间隔道将半导体晶片切断来分割形成有器件的区域， 从而制造出各个半导体芯片。为了实现装置的小型化和高性能化，而实际应用了将多个器件层叠、 并连接在所层叠的器件上设置的焊盘的模块构造。该模块构造是这样的 结构，即在半导体晶片上设置有焊盘的部位形成贯通孔(viahole)，并 在该贯通孔内填入与焊盘连接的铝等导电性材料(例如，参照专利文献1) 。专利文献1日本特开2003 —163323号公报设置在上述半导体晶片上的贯通孔通过钻机来形成。然而，设置在 半导体晶片上的贯通孔是直径为90 300pm这样较小的贯通孔，在使用钻机进行穿孔时具有生产性不良的问题。为了解决上述问题，提出了如下的晶片穿孔方法，即在基板表面 形成有多个器件并且于该器件中形成有焊盘的晶片上，从基板背面侧照 射...
【技术保护点】
一种激光加工装置，具有：保持晶片的卡盘工作台；以及向由该卡盘工作台保持的晶片照射脉冲激光光线的激光光线照射单元，该激光加工装置的特征在于，该激光加工装置具有等离子体检测单元和控制单元， 该等离子体检测单元具备：等离子体受光单元，其接收 通过从该激光光线照射单元向被加工物照射激光光线而产生的等离子体；以及光谱分析单元，其分析由该等离子体受光单元所接收的等离子体的光谱， 该控制单元根据来自该等离子体检测单元的光谱分析单元的光谱分析信号来判定被加工物的材质，并控制该激光光 线照射单元。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅野健司，森数洋司，高桥邦充，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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