【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电容器制造领域,特别是涉及。
技术介绍
氧化铌电容器是一种以一氧化铌粉作为核心材料的新型电解电容器,它不但具有钽电容器体积小、容量大、损耗角正切小、电性能稳定的优点,还具有使用电压降幅小、不燃烧特点,因此氧化铌电容器成为高速处理的低电压低功耗电子装备首选产品。目前,石墨、银浆层作为铌电容器的阴极,铌电容器石墨、银浆层的传统制备方法如下将被膜好的钽铌块浸入水性石墨,高温固化冷却后浸入油性石墨,最后浸入银浆。氧化铌电容器采用这种传统石墨、银浆层的制备方法的缺点是电容器在高温125°C下容量变化大,电容器会因为环境温度过高而导致输出波形失真、电路无法正常工作。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术旨在提供一种片式氧化铌电容器的石墨、银浆层制备方法,利用该方法制造的氧化铌电容器在125°C下容量变化满足技术标准要求,并能够在125°C的环境下维持正常工作。本专利技术采取的技术方案为,所述该方法包括以下步骤I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨,浸溃深度为芯子高度的3/4 4/5,浸溃时间为I IOS ;2)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨,室温放置5 IOmin,再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ;3)氧化铌块芯子取出冷却至室温,浸入苯甲醇溶液,浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5,浸溃时间为I IOS ;4)取出后,将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨,浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5,浸溃时间为I IOS ;5)缓慢取出,用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨,室温放置5 lOmin,再放入140 200°C烘箱内 ...
【技术保护点】
一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法,其特征在于,所述该方法包括以下步骤:1)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨,浸渍深度为芯子高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;2)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨,室温放置5~10min,再放入140~200℃烘箱内固化10~60min;3)氧化铌块芯子取出冷却至室温,浸入苯甲醇溶液,浸渍深度为芯子总高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;4)取出后,将浸渍过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨,浸渍深度为芯子总高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;5)缓慢取出,用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨,室温放置5~10min,再放入140~200℃烘箱内固化10~60min;6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温,浸入银浆,浸渍深度为芯子总高度的3/4~4/5,浸渍时间为1~10S;7)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆,室温放置5~10min,再放入160~230℃烘箱内固化10~60min。
【技术特征摘要】
1.一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法,其特征在于,所述该方法包括以下步骤 1)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨,浸溃深度为芯子高度的3/4 4/5,浸溃时间为I IOS ; 2)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨,室温放置5 lOmin,再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ; 3)氧化铌块芯子取出冷却至室温,浸入苯甲醇溶液,浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5,浸溃时间为I IOS ; 4)取出后,将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨,浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5,浸溃时间为I IOS ; 5)缓慢取出,用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨,室温放置5 lOmin,再放入140 200°C烘箱内固化10 6...
【专利技术属性】
技术研发人员:江平,王安玖,
申请(专利权)人:中国振华集团新云电子元器件有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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