二极管仿真电路模型制造技术

本发明专利技术公开了一种二极管仿真电路模型，包括一正向二极管模型，还包括一电压控制电流源、一寄生电阻；电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间；所述正向二极管模型，反向击穿电流为零；所述电压控制电流源，电流值为：本发明专利技术的二极管仿真电路模型，提高了二极管反向特性的模型精度和灵活性，在二极管的正向工作电流与反向击穿电流都能得到较好的对准精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设计技术，特别涉及一种二极管仿真电路模型。
技术介绍
HSPICE仿真器被公认为精确电路仿真领域的“黄金标准”，并可借助一流的仿真及分析算法提供经代工厂认证过的MOS器件模型仿真，是速度最快、最受信赖的电路仿真器之一。在当今半导体设计业主流的HSPICE仿真器中，常规的二极管(diode)器件仿真模型的电流描述公式如下二极管正向工作电流id为 _5]

【技术保护点】
一种二极管仿真电路模型，其特征在于，包括一正向二极管模型、一电压控制电流源、一寄生电阻；所述电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间；所述正向二极管模型，反向击穿电流为零；所述电压控制电流源，其电流值为：cur=jrev*exp(-(VA+Bvrev)nrev*k*t/q);其中，cur为电压控制电流源电流值，jrev为反向击穿电流系数，Bvrev为反向击穿电压点，nrev为反向击穿电流的指数项修正系数，VA为电压控制电流源同寄生电阻连接点电压，t是环境温度，k是波尔兹曼常数，q为电荷常数。

【技术特征摘要】
1.一种二极管仿真电路模型,其特征在于，包括一正向二极管模型、一电压控制电流源、一寄生电阻； 所述电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间； 所述正向二极管模型，反向击穿电流为零； 所述电压控制电流源，其电流值为2.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，所述正向二极管模型，正向工作电流为3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正楠，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：