【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体量测技术,涉及一种硅片体内重金属的焙烤方法,具体涉及一种可以用全反射X射线荧光分析法测量硅片体内重金属的焙烤工艺。
技术介绍
目前,对硅片表面污染控制进行分析的仪器可以采用20世纪90年代初由日本Technos公司开发的TREX 610S,该仪器的工作原理是基于全反射X射线荧光光谱(TXRF),采用水冷的钨(W)靶X射线光管产生初级X射线,通过多层膜单色器后形成一束能量范围很窄的单色光,以非常低的角度(〈O. 1° )在真空中掠射表面高度平滑的硅片,被全反射。样品中元素发出的特征荧光被能量色散型探测器检测。因为探测器与样品的距离非常近,并且在真空状态下,因此荧光产额非常高,极大地降低了背景噪音,提高了灵敏度,使样片检测极限可达到E9atomS/cm2。检测元素范围可从硅(Sil4) 铀(U92)。全反射X射线荧光光谱机理1.在光电吸收过程中,原子内某些电子吸收了特定能量后被逐出,在轨道中形成空穴;此时,其外层轨道电子会发生跃迁来填补这些空穴。2.跃迁电子产生的空穴再由外一层电子通过跃迁填补,直到自由电子进入轨道为止。每一次的跃迁都伴随能量的释放,从而形成受激原子的二次X射线。3.该X射线可被探测,并以谱的形式记录下来。其中的峰,即谱线原子的特征,表明样品中含有相应的元素。4.在入射角小于临界角的`情况下,入射射线会在样品表面发生全反射的现象,如果不考虑吸收限处的共振现象和量子效应,根据经典的色散理论,射线全反射的临界角由下式给出a crit=l. 65/E* (Z P A-1)1/2其中,a rait是入射光束和反射面的夹角,g卩全反 ...
【技术保护点】
一种硅片体内重金属的检测方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(a)将硅片置于180?300℃烘焙20?60min;(b)经步骤(a)烘焙后,将硅片冷却至20?25℃;(c)采用全反射X射线荧光光谱检测硅片体内重金属。
【技术特征摘要】
1.一种硅片体内重金属的检测方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤(a)将硅片置于180-300°C烘焙20_60min;(b)经步骤(a)烘焙后,将硅片冷却至20-25°C;(c)采用全反射X射线荧光光谱检测硅片体内重金属。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(a)将硅片置于190-250°C烘焙。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤(a)将硅片置于190-210°C烘焙。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(a)将硅片烘焙20-40mi...
【专利技术属性】
技术研发人员:包胜娟,贺贤汉,杨建成,洪漪,
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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