【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
电阻作为一种电气元件，广泛应用于多种电子器件中，其中热敏半导体陶瓷材料的电阻是近年来发展的一个重要方向，而对于目前的半导体陶瓷材料电阻，其制备方法繁琐、制程温度高、制得的电阻性能差。因此，寻找一种工艺简单、成本低廉、制程温度低、性能良好的电阻制备方法成为亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入O. 1-0. 3mol%的氧化铌、l_4mol%的二氧化硅、l_5mol%的氧化铝和O. 01-0.1mo 1%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280-1340°C，烧结时间为5-15分钟，升温速度为200-500°C /分，降温速度为20_80°C /分。有益效果 本专利技术制备的电阻经过测试分析，显示电阻性能良好，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。具体实施方式`下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1 该电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入O.1mo 1%的氧化铌、4mol%的二氧化硅、lmol%的氧化铝和O.1mo 1%的氧化锰，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280°C，烧结时间为15分钟，升温速度为500°C /分，降温速度为800C / 分。实施例2 该电...
【技术保护点】
一种电阻的制备方法，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入0.1?0.3mol%的氧化铌、1?4mol%的二氧化硅、1?5mol%的氧化铝和0.01?0.1mol%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在1个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280?1340℃，烧结时间为5?15分钟，升温速度为200?500℃/分，降温速度为20?80℃/分。
【技术特征摘要】
1.一种电阻的制备方法，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入0. 1-0. 3mol%的氧化铌、l_4mol%的二氧化硅、l_5mol%的氧化铝和0. 01-0.1mo 1%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在I个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280-1340°C，烧结时间为5-15分钟，升温速度为200-500°...
【专利技术属性】
技术研发人员：李岗，国欣鑫，张晓辉，
申请(专利权)人：青岛艾德森能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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