一种基于穆勒矩阵的套刻误差提取方法技术

本发明专利技术属于半导体制造中的套刻误差测量领域，具体涉及一种基于穆勒矩阵的纳米结构套刻误差提取方法。本发明专利技术采用穆勒矩阵矩阵对角线上的M13和M31元素，或者M23和M32元素的线性组合分别直接拟合得到一条直线，利用该拟合直线可直接根据测量穆勒矩阵元素得到套刻误差。该方法可以实现不同周期下一维套刻结构套刻误差的快速、准确提取。本发明专利技术方法可以实现一维套刻结构的套刻误差的快速、准确提取。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造中的套刻误差测量领域，具体涉及一种基于穆勒矩阵的纳米结构套刻误差提取方法。
技术介绍
在半导体制造领域，套刻是一种常见的工艺。通过将两层或多层光栅(或膜系)按照一定的标记堆叠起来，即成为一个典型的套刻结构。然而，由于工艺上的变化因素，套刻结构中上下两层结构的真实偏移量大小往往和理论设计偏移量大小存在着一定的偏差，该偏差即为套刻误差。套刻误差过大，将直接导致相关器件的功能失效。因此，在实际工艺生产线上需要对套刻误差进行实时测量。目前对套刻误差进行测量的方式或设备包括扫描电子显微镜、原子力显微镜和透射电子显微镜。然而，这些测量设备或多或少地存在着各种缺点，如对测量样件的破坏性、时间消耗大、难以集成到工艺线上等。因此，具有非破坏性、测量迅速和易于集成等优点的基于光学的套刻误差测量方法近些年来被广泛地加以研究，而其中最具代表性的是基于散射光学的测量技术。在基于散射光学的套刻误差测量中，需要首先利用正向光学特性建模程序对套刻结构进行光学特性仿真，获取仿真光谱，仿真光谱可以是反射率、椭偏参数或者穆勒矩阵的形式；再利用逆向参数求解算法来对测量光谱和仿真光谱进行比对，二者相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于穆勒矩阵的套刻误差提取方法，包括下述过程：第1步确定套刻偏移量的取值范围，设定为?Λ/2～Λ/2，Λ为套刻样件的周期大小；第2步将范围?Λ/2～Λ/2等距离散成M个点，对每个点计算对应额穆勒矩阵，则M个套刻偏移量值分别对应着M个不同的穆勒矩阵，即有套刻偏移量集合{O1，O2，...，OM}；第3步对套刻偏移量集合{O1，O2，...，OM}中的M个套刻偏移量值分别对应着的M个不同的穆勒矩阵中M13、M31、M23和M32元素在所有波长点下的值求和，和值分别记为SM13、SM31、SM23和SM32；则得到M个SM13、SM31、SM23和SM32，将SM13与SM31一一对应相加，将S...

【技术特征摘要】
1. 一种基于穆勒矩阵的套刻误差提取方法，包括下述过程 第I步确定套刻偏移量的取值范围，设定为-A/2 A/2，A为套刻样件的周期大小；第2步将范围-A/2 A/2等距离散成M个点，对每个点计算对应额穆勒矩阵，则M个套刻偏移量值分别对应着M个不同的穆勒矩阵，即有套刻偏移量集合IO1, O2, , 0M}；第3步对套刻偏移量集合IO1, O2, , 0M}中的M个套刻偏移量值分别对应着的M个不同的穆勒矩阵中M13、M31、M23和M32元素在所有波长点下的值求和，和值分别记为SM13、Sm31、Sm23 和 Sm32 ;则到 M 个 Sm13、Sm31、Sm23 和 Sm32，将 Sm13 与 Sm31 '~*■ ~■对应相加，将 Sm23 和Sm32——对应相加，则得到两个集合(S1m^S1m31, S2M13+S2M31，...，SMM13+SMM31}和(S1m2JS1m32, 第 4 步将集合 IO1, 02，. . .，OJ 和(S1miJS1m31, S2M13+S2M31，. . .，SMM13+SMM31}中每一元素——对应组成 M 个点 KO1, S1miJS1m31)，(02, S2M13+S2M31)， ，(0M, SMM13+SMM31)}，在笛卡尔坐标系中描绘这些点并一一连接起来，找到一段直线区间，分别记为LM13+M31，这段直线在X坐标上对应的线性范围分别为Amim311 AM13+M31...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世元，朱金龙，董正琼，石雅婷，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：