常压下低温等离子体密度参数的诊别方法技术

常压下低温等离子体密度参数的诊别方法，属于等离子体领域，本发明专利技术为解决现有等离子体诊断方法在其测量过程中精确度低、效率差、对环境要求较高、使用寿命短、成本相对昂贵等一系列问题。本发明专利技术方法包括以下步骤：步骤一、用电压互感器检测放电通道内气体压降Ug(t)；步骤二、用电流互感器检测为传导电流jc(x，t)；步骤三、根据步骤一获取的放电通道内气体压降Ug(t)和传导电流jc(x，t)获取总的放电电流jT；步骤四、根据步骤三获取的总的放电电流jT获取等离子体密度n(t)；步骤五、获取离散化等离子体密度nm+1(t)，以实现对等离子体密度参数的诊别。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于等离子体领域。
技术介绍
近年来，基于介质阻挡放电(DBD)原理产生的低温等离子体在材料、微电子、化工、机械及环境保护等众多学科领域中有着广泛应用，且已形成一个崭新的工业——等离子体工业。例如在材料学科中，通常采用等离子体物理气相沉积(PVD)和增强化学气相沉积(PECVD)及等离子体源离子注入(PSII)等技术来制备一些发光、光电、微电子、耐蚀耐磨及超硬等新型多功能薄膜材料。利用等离子体进行材料表面改性，改善材料表面的可湿性、吸水性、可染性、粘着性和导电性等，更是常见的工业技术；在化工工业中，采用等离子聚合技术，可以印刷和制备出高分子薄膜材料；在微电子工业中的应用更加引人瞩目，目前微电子工业的全球销售额已达几千亿美元，其中三分之一以上微电子器件设备是采用低温等离子体技术生产的；在超大规模集成电路的生产工艺中，等离子体刻蚀技术可以实现高刻速率、高纵横比、高选择比、微观不均匀性小和低能量操作的刻蚀过程；在沉积无缺陷、附着力大的微电子薄膜材料以及微小器件晶片的清洗方面也显示出了巨大的优势。可以说，低温等离子体已与现代高新科技的发展紧密联系在一起，因而对低温等离子体及本文档来自技高网...

【技术保护点】
常压下低温等离子体密度参数的诊别方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、用电压互感器检测放电通道内气体压降Ug(t)步骤二、用电流互感器检测放电过程中的传导电流jc(x，t)，x＝0～dg，式中：dg为放电通道长度，x为放电通道中某一位置的坐标，步骤三、根据步骤一获取的放电通道内气体压降Ug(t)和传导电流jc(x，t)，利用公式jT(t)=(2dBϵ0ϵB+dgϵ0)-1[∫0dgjc(x,t)ϵ0dx+∂Ug(t)∂t]获取总的放电电流jT，式中：ε0为真空介电常数，εB为等离子体的...

【技术特征摘要】
1.常压下低温等离子体密度参数的诊别方法，其特征在于，该方法包括以下步骤 步骤一、用电压互感器检测放电通道内气体压降Ug (t) 步骤二、用电流互感器检测放电过程中的传导电流jjx，t), X = O dg, 式中dg为放电通道长度，X为放电通道中某一位置的坐标， 步骤三、根据步骤一获取的放电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张仲麟，王春生，江滨浩，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：