【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学
,特别涉及一种包含相位元件的垂直入射宽带偏振光谱仪及光学测量系统。
技术介绍
一般来说,光学测量技术中的一个关键环节是将探测光束聚焦到样品上。目前通常有两种方法。一种方法是将光学测量系统中的最后一个聚焦透镜与其它元件分开,通过仅仅调整这个聚焦透镜来将探测光束聚焦到样品上。例如,如图1所示,通过对最后一个聚焦透镜进行上下移动来实现聚焦。另一种方法是通过对整个光学测量系统进行调整来将探测光束聚焦到样品上。例如,如图2a和2b所示,通过对整个光学测量系统进行上下移动来实现聚焦(例如,参见美国专利No. 5747813和No. 5486701)。随着半导体行业的快速发展,利用光学测量技术来精确地测量晶片上单层或多层薄膜形成的三维结构的临界尺度(⑶,Critical Dimension)、空间形貌及材料特性变得十分重要。当检测一个通常尺寸为150毫米、200毫米或300毫米的晶片时,由于在晶片上的薄膜层应力等原因,晶片表面可能不平坦。因此,当对整个晶片进行检测时,为了实现高精确度的测量和保证半导体生产线产量的快速测量,对每个测量点自动聚焦是其中一项关键的技术。而且,本领域的技术人员公知,将宽带探测光束在样品表面上聚焦成相对较小尺寸的光斑是有利的,因为小尺寸光斑可以测量微结构图案,且宽带探测光束可以提高测量精确度。在这种情况下,当采用上述第一种聚焦方法时,会存在如下问题透镜通常具有色差,这样的色差会导致不同波长的光的聚焦位置不同,增大误差,降低测量精确度;以及难以找到对整个宽带波长范围都具有良好的透射性的透镜材料。当采用上述第二种聚焦方法时 ...
【技术保护点】
一种包含相位元件的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于,包括:光源、分光元件、聚光单元、偏振器、相位补偿元件、第一曲面反射元件、第一平面反射元件和探测单元;所述分光元件设置于所述光源和所述聚光单元之间的光路中,用于使来自光源的光束在入射至所述聚光单元之前部分地通过,以及接收从样品上反射的、且依次经过所述第一平面反射元件、所述第一曲面反射元件、所述相位补偿元件、所述偏振器和所述聚光单元的光束并将该光束反射至所述探测单元;所述聚光单元,接收通过所述分光元件的光束并使该光束变成平行光束;所述偏振器设置于所述聚光单元和所述相位补偿元件之间,使所述平行光束变成偏振光束;?所述相位补偿元件设置于所述偏振器和所述第一曲面反射元件之间,调整所述偏振光束的偏振状态并使光束透射通过;所述第一曲面反射元件,接收通过所述相位补偿元件的平行光束并使该光束变成会聚光束;所述第一平面反射元件,接收所述会聚光束并将所述会聚光束反射后垂直地聚焦到样品上;以及所述探测单元用于探测从样品上反射的且依次经过所述第一平面反射元件、所述第一曲面反射元件、所述相位补偿元件、所述偏振器和所述聚光单元并被所述分光元件反射的光束。
【技术特征摘要】
1.一种包含相位元件的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于,包括光源、分光元件、聚光单元、偏振器、相位补偿元件、第一曲面反射元件、第一平面反射元件和探测单元;所述分光元件设置于所述光源和所述聚光单元之间的光路中,用于使来自光源的光束在入射至所述聚光单元之前部分地通过,以及接收从样品上反射的、且依次经过所述第一平面反射元件、所述第一曲面反射元件、所述相位补偿元件、所述偏振器和所述聚光单元的光束并将该光束反射至所述探测单元;所述聚光单元,接收通过所述分光元件的光束并使该光束变成平行光束;所述偏振器设置于所述聚光单元和所述相位补偿元件之间,使所述平行光束变成偏振光束;所述相位补偿元件设置于所述偏振器和所述第一曲面反射元件之间,调整所述偏振光束的偏振状态并使光束透射通过;所述第一曲面反射元件,接收通过所述相位补偿元件的平行光束并使该光束变成会聚光束;所述第一平面反射元件,接收所述会聚光束并将所述会聚光束反射后垂直地聚焦到样品上;以及所述探测单元用于探测从样品上反射的且依次经过所述第一平面反射元件、所述第一曲面反射元件、所述相位补偿元件、所述偏振器和所述聚光单元并被所述分光元件反射的光束。2.根据权利要求1所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述第一平面反射元件和所述第一曲面反射元件具有相同的反射材料和镀膜结构并满足光束的入射角相同和入射平面相互垂直的条件。3.根据权利要求1所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述分光元件为分光薄片、分光棱镜、点格分光镜或薄膜分光镜。4.根据权利要求3所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述聚光单元为至少一个透镜或至少一个曲面反射镜。5.根据权利要求1所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述分光元件为边缘处于光路中的第二反射元件。6.根据权利要求5所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述聚光单元为至少一个透镜。7.根据权利要求6所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于,所述垂直入射宽带偏振光谱仪还包括设置在所述探测单元和所述第二反射元件之间的光路中的第三反射元件;所述探测单元,探测从样品上反射的且依次经过所述第一平面反射元件、所述第一曲面反射元件、所述相位补偿元件、所述偏振器、所述至少一个透镜、所述第二反射元件和所述第三反射元件的光束;所述第一平面反射元件和所述第一曲面反射元件具有相同的反射材料和镀膜结构并满足光束的入射角相同和入射平面相互垂直的条件;并且所述第二反射元件和所述第三反射元件具有相同的反射材料和镀膜结构并满足光束的入射角相同和入射平面相互垂直的条件。8.根据权利要求5所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述聚光单元为第二曲面反射元件。9.根据权利要求8所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述第一平面反射元件和所述第一曲面反射元件具有相同的反射材料和镀膜结构并满足光束的入射角相同和入射平面相互垂直的条件;并且所述第二反射元件和所述第二曲面反射元件具有相同的反射材料和镀膜结构并满足光束的入射角相同和入射平面相互垂直的条件。10.根据权利要求9所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于所述垂直入射宽带偏振光谱仪还包括设置在所述探测单元和所述第二曲面反射元件之间的光路中的第三反射元件;所述探测单元,探测从样品上反射的且依次经过所述第一平面反射元件、所述第一曲面反射元件、所述相位补偿元件、所述偏振器、所述第二曲面反射元件和第三反射元件的光束;并且所述第三反射元件和所述第二曲面反射元件具有相同的反射材料和镀膜结构并满足光束的入射角相同和入射平面相互垂直的条件。11.根据权利要求5-10中的任意一项所述的垂直入射宽带偏振光谱仪,其特征在于 所述第二反射元件为具有至...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘涛,李国光,赵江艳,艾迪格·基尼欧,马铁中,夏洋,严晓浪,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,北京智朗芯光科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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