【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED照明领域,特别是ー种高光效大功率LED面板灯。
技术介绍
1965年第一只商用LED问世,采用GaAsP材料,其结构与普通ニ极管类似,发光效率非常低,只能发出千分之几个流明的红光。随着半导体掺杂技术的发展,到了 1985年日本的Nishizawa利用液相外延方法制备出异质结构AIGaAs发光二极管,亮度超过之前的发光二极管,这就是后来所说的高亮度发光二极管。八十年代的研究主要集中在P-N结上和提高内量子效率上。到了九十年代初,四元系II1-V族半导体合金材料InGaAIP材料的研究获得成功。九十年代初的另ー个巨大突破是由日本日亚公司的Nakamura完成的,Nakamura在GaN基材料上成功地制备出高亮度蓝色和绿色发光二极管,发光强度超过led,紧接着用单量子阱结构获得了大于IOcd的蓝、绿、黄InGaN基LED,将发光二极管发光光谱区由原来的 650 560nm 扩展到 650_470nm。七十年代LED主要用于指示;八十年代用于户外显示;九十年代户外电视、汽车指示;上个世纪末用于交通信号灯;二十一世纪初人们利用GaN基蓝色LED作为基 ...
【技术保护点】
一种高光效大功率面板LED灯,包括底板,LED灯条,反射器,导光板,电源,面板,其特征在于:LED灯条位于底板四周,光源发出的光经过反射器汇集后射入导光板中。
【技术特征摘要】
1.一种高光效大功率面板LED灯,包括底板,LED灯条,反射器,导光板,电源,面板,其特征在于LED灯条位于底板四周,光源发出的光经过反射器汇集后射入导光板中。2.根据权利要求1所述的一种高光效大功率面板灯,其特征在于所述底板边缘有弧形翘曲,弧形翘曲内表面镀有反射膜。3.根据权利要求1所述的一种高光效大功率面板灯,其特征在于所述底板使用金属材料,所述金属材料可以是铝,铜以及铝铜合金。4.根据权利要求1所述的一种高光效大功率面板灯,其特征在于所述底板表面镀制了一层反射膜,反射膜对出射光的反射率由边缘向中部逐渐升高。5.根据权利要求1所述的一种高光效大...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴少凡,郑熠,王晓伟,
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所,
类型:发明
国别省市:
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