导电性高分子悬浊液及其制造方法、导电性高分子材料、固体电解电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供用于提供高导电率的导电性高分子材料的导电性高分子悬浊液和其制造方法，特别是提供低ESR的固体电解电容器及其制造方法。所述导电性高分子悬浊液的制造方法含有：在含有由有机酸或其盐构成的第一掺杂剂的溶剂中，使用氧化剂对提供导电性高分子的单体进行化学氧化聚合来合成导电性高分子的第一工序；精制导电性高分子的第二工序；在含有精制后的导电性高分子的水系溶剂中，加入第二掺杂剂，混合氧化剂，接着加入第三掺杂剂，进而混合氧化剂的第三工序；以及对第三工序中得到的混合液进行离子交换处理得到导电性高分子悬浊液的第四工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
导电性有机材料被用作电容器的电极、色素敏化太阳能电池或有机薄膜太阳能电池等的电极、电致发光显示器的电极等。作为这样的导电性有机材料，公知的是对吡咯、噻吩、苯胺等进行聚合而得到的导电性高分子。这样的导电性高分子一般情况下作为水性溶剂中的悬浊液(分散体)或者溶液、或者有机溶剂中的溶液而提供，使用时除去溶剂作为导电性高分子材料而使用。但是，即使导电性高分子的种类相同，通过分散体的状态而得到的导电性高分子材料的物性也不同，因此，关于其分散体的制造方法，进行有各种探讨。在专利文献I中公开有关于聚噻吩的悬浊液(分散体)及其制造方法的技术。聚噻吩的分散体含有由作为分散介质的水或者水混和性有机溶剂和水的混合物、3，4-亚乙基二氧噻吩的结构单元构成的聚噻吩和来自具有2000 500000的范围的分子量的聚苯乙烯磺酸的聚阴离子。而且，聚噻吩是在来自具有2000 500000的范围的分子量的聚苯乙烯磺酸的聚阴离子的存在下通过化学氧化聚合而得到的。由此，可以形成导电性高分子膜。在专利文献2中公开关于导电性高分子组合物以及使用导电性高分子组合物的固体电解电容器的技术。对于由3，4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下工序：在含有由有机酸或其盐构成的第一掺杂剂的溶剂中，使用氧化剂对提供导电性高分子的单体进行化学氧化聚合来合成导电性高分子的第一工序；精制所述导电性高分子的第二工序；在含有所述精制后的导电性高分子的水系溶剂中，加入第二掺杂剂，并混合所述氧化剂，接着加入第三掺杂剂，进而混合所述氧化剂的第三工序；以及对所述第三工序中得到的混合液进行离子交换处理得到导电性高分子悬浊液的第四工序。

【技术特征摘要】
2011.10.14 JP 2011-2263811.一种导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下エ序 在含有由有机酸或其盐构成的第一掺杂剂的溶剂中，使用氧化剂对提供导电性高分子的单体进行化学氧化聚合来合成导电性高分子的第一エ序； 精制所述导电性高分子的第二エ序； 在含有所述精制后的导电性高分子的水系溶剂中，加入第二掺杂剂，并混合所述氧化齐IJ，接着加入第三掺杂剂，进而混合所述氧化剂的第三エ序；以及 对所述第三エ序中得到的混合液进行离子交换处理得到导电性高分子悬浊液的第四ェ序。2.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，所述单体为选自吡咯、噻吩、苯胺以及它们的衍生物中的至少ー种。3.根据权利要求2所述的导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，所述单体为3，4-亚こ基ニ氧噻吩。4.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂剂和/或所述第二掺杂剂为选自聚磺酸或其盐中的至少ー种。5.根据权利要求4所述的导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在干，所述聚磺酸或其盐为聚苯こ烯磺酸。6.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，所述第三掺杂剂为选自低分子有机酸或者它们的盐中的至少ー种。7.根据权利要求6所述的导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，所述低分子有机酸或者它们的盐为选自烷基磺酸、苯磺酸、萘磺酸、蒽醌磺酸、樟脑磺酸及它们的衍生物、以及上述物质的铁(III)盐中的至少ー种。8.根据权利要求1所述的导电性高分子悬浊液的制造方法，其特征在于，在所述第四エ序之后，含有混合选自赤藓糖醇及季戊四醇中的至少ー种的第五エ序。9.一种导电性高分子悬浊液，其特征在于，其通过权利要求1所述的方法而得到。10.一种导电性高分子材料，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木聪史，信田知希，菅原康久，富冈泰宏，
申请(专利权)人：NEC东金株式会社，
类型：发明
国别省市：