以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法技术

本发明专利技术提出了一种以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，即运用ZnO晶体阵列作为模型，用光刻胶将其淹没，待光刻胶稳固后，溶掉ZnO，在溶掉ZnO后的孔洞中电沉积金属晶体，获得的金属晶体具有ZnO的形貌，即六棱柱状。该方法制得的微阵列电极具有微电极的特征，即传质速度快，易于达到稳定电流，有较高信噪比，时间常数小，溶液电位降比较低，而且比微电极的响应电流大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电极制作
，特别是一种以ZnO晶体为模型制备具有一定形貌的金属微纳米阵列电极的方法。
技术介绍
早在20世纪的60年代，微电极技术就以其优良的电化学特性引起学者广泛的关注，在20世纪70年代末开始成为电化学和电分析化学的前沿领域和研究热点。当电极的一维尺寸从毫米降低到微米级时，表现出常规电极无法比拟的许多优良的电化学特性，如传质快，能迅速达到稳态电流，电流密度大，电阻降低，时间常数小。微米电极体积小，适用于微体系和活体检测。当电极的尺寸进一步降低至微米级时，则出现不寻常的传质过程，乃至出现量子现象，带来许多新的性质，集中反映在极高的传质速率和极高的分辨率两个方面。微米电极适用于高阻体系、超临界液体、固体以及气体介质的研究，有利于异相和均相快速电化学反应研究。在极小的电极表面会形成更小的晶核，使研究单一分子成为可能。它在纳米生物传感器、单细胞分析、微量和痕量检测、电化学电催化和动力学等研究领域显示出很大的潜在应用价值。它大大拓展了实验的时空局限，为在微观上研究电化学过程提供了有效的手段。单个微电极的溶出电流通常非常小，组合式微电极使电流信号大大增加而又不失微电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，其特征是，步骤如下：（1）在基底上电沉积出ZnO晶体微纳米阵列；（2）在ZnO晶体微纳米阵列上甩一层光刻胶，将其覆盖淹没，热处理，使光刻胶稳固，然后浸入到相应光刻胶的去胶液中浸泡，或用等离子体处理，除掉部分光刻胶，使ZnO晶体的顶端露出；（3）用酸或碱浸泡处理，将ZnO晶体除掉，剩下具有规则形状孔洞的光刻胶层粘附在基底上；（4）然后将制得的样品浸入到含有待沉积金属的溶液中，用电沉积的方法沉积金属，金属晶体会在形成的孔洞中生长，但金属晶体的长度不要超过孔洞的长度；（5）最后，用去胶液或等离子体将光刻胶除掉。

【技术特征摘要】
1.以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，其特征是，步骤如下 (1)在基底上电沉积出ZnO晶体微纳米阵列； (2)在ZnO晶体微纳米阵列上甩ー层光刻胶，将其覆盖淹没，热处理，使光刻胶稳固，然后浸入到相应光刻胶的去胶液中浸泡，或用等离子体处理，除掉部分光刻胶，使ZnO晶体的顶端露出； (3)用酸或碱浸泡处理，将ZnO晶体除掉，剩下具有规则形状孔洞的光刻胶层粘附在基底上； (4)然后将制得的样品浸入到含有待沉积金属的溶液中，用电沉积的方法沉积金属，金属晶体会在形成的孔洞中生长，但金属晶体的长度不要超过孔洞的长度； (5)最后，用去胶液或等离子体将光刻胶除棹。2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤(1)中所用基底为ITO/玻璃基底。3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤(2)中所用光刻胶为Ultra-i123、S1805或AZ系列光刻胶。4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继锋，孟凡军，
申请(专利权)人：聊城大学，
类型：发明
国别省市：