【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及专用于太阳能晶体硅的线切割开方或切片的悬浮砂浆及其专用制造方法。
技术介绍
现有的专用于太阳能晶体硅线切割开方或切片的悬浮砂浆是由具有磨削作用的硬质磨料和使磨料分散悬浮的分散液混配而成。目前业内广泛使用的太阳能晶体硅线切割开方或切片的悬浮砂浆，其磨料采用碳化硅微粉，分散液采用聚乙二醇或聚丙醇等，并可混配有助于磨料颗粒分散和悬浮、以及可改善悬浮砂浆的物理、化学指标的其他助剂。使用现有的切割砂浆用于太阳能晶体硅的线切割中，经常会发生硬点导致的异常，包括硬点线痕、硬点缺损、切割面呈阶梯状、断线等等。其中，切片过程中发生断线时，甚至可以造成整个装载硅锭的全部损失。此外，现有的线切割砂浆，切割效率较低，切割速度也较慢，切割成本高。对于硅晶体中的引起线切割硬点异常的硬点，一般认为与硅晶体中的多种杂质、例如氮、金属杂质、碳等有关。然而，本专利技术人经深入研究发现，引起线切割硬点异常的杂质，并不是氮和金属杂质，而主要是与碳杂质有关。本专利技术人发现，太阳能晶体硅锭相对于半导体领域使用的高纯晶体硅锭，含有较多的碳杂质，特别是铸造硅晶体，其碳杂质含量往往可以达到I l...
【技术保护点】
一种太阳能晶体硅线切割砂浆，由重量百分比占30～70％的硬质磨料和悬浮分散硬质磨料的分散液组成，本专利技术的特征是，组成砂浆的硬质磨料，至少包含有一种硬度高于碳化硅的研磨材料。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能晶体硅线切割砂浆，由重量百分比占30 70%的硬质磨料和悬浮分散硬质磨料的分散液组成，本发明的特征是，组成砂浆的硬质磨料，至少包含有一种硬度高于碳化硅的研磨材料。2.根据权利要求1的线切割砂浆，其特征是，所述的硬质磨料主要成分为包含重量百分比I 30%的至少一种选自金刚石、立方氮化硼、碳化硼、氮化硅的研磨材料，和70 99%的至少一种选自碳化硅、氧化铝、碳硅硼、钪碳化硅、铈碳化硅、其它稀土碳化硅的研磨材料。3.根据权利要求2的线切割砂浆，其特征是，所述的金刚石、立方氮化硼或碳化硼、氮化硅研磨材料颗粒的平均直径大于碳化硅、氧化铝或铈碳化硅、碳硅硼磨料颗粒的平均直径。4.根据权利要求2的线切割砂浆，其特征是，所述的金刚石、立方氮化硼、碳化硼、氮化硅研磨材料颗粒的平均直径小于碳化硅、氧化铝或钪碳化硅、铈碳化硅、碳硅硼、其它稀土碳化硅研磨材料颗粒的平均直径...
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