用于化学机械抛光钨的方法技术

本发明专利技术涉及用于化学机械抛光钨的方法，提供了一种使用非选择性化学机械抛光组合物对含钨基材进行化学机械抛光的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用来对包含钨的基材进行化学机械抛光的方法。更具体地，本专利技术涉及用来对包含钨通孔的半导体基材进行化学机械抛光的方法。
技术介绍
钨广泛地用于半导体制备中，所述半导体制备用于形成连接集成电路制造中的中间层金属线的接触通孔和孔。通常，通孔通过层间电介质(ILD)蚀刻到互连导线或者半导体基材上。然后，可以在ILD上以及蚀刻的通孔中形成例如氮化钛或者钛的薄粘合剂层。然后在粘合剂层上以及通孔中掩盖沉积钨膜。然后通过化学机械抛光(CMP)去除过量的钨以形成钨通孔。CMP中所使用的化学机械抛光组合物对于确定CMP的成功是重要的变量。取决于磨料以及其他添加剂的选择，可以调整化学机械抛光组合物以对各层以所需的抛光速率提供有效抛光，同时最小化表面瑕疵、缺陷、腐蚀、以及与钨通孔相邻的层间电介质的侵蚀。除此之外，所述化学机械抛光组合物可用于提供对于被抛光的基材表面存在的其他材料的受控制的抛光选择性，所述被抛光的基材例如，钛、氮化钛、以及氮化硅等。通常，使用包含磨料颗粒以及化学试剂的化学机械抛光组合物来完成钨CMP过程。用于钨CMP的传统抛光组合物使用氧化铝(Al2O3)或者二氧化硅(SiO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基材，其中所述基材包含钨；提供化学机械抛光浆组合物，其包含如下组分作为初始组分：水；0.1至5重量％的磨料；式（I）所示的0.005至0.1重量％的双季化合物：其中每一个A独立地选自N和P；其中R1选自：饱和或不饱和C1?C15烷基基团、C6?C15芳基基团以及C6?C15芳烷基基团；其中R2、R3、R4、R5、R6以及R7每一个独立地选自：氢、饱和或不饱和C1?C15烷基基团、C6?C15芳基基团以及C6?C15芳烷基基团以及C6?C15烷芳基基团；以及，式（I）中的阴离子可以是任意阴离子或者平衡了式（I）中阳离子的2+电荷的阴离子的组合...

【技术特征摘要】
2011.08.15 US 13/209,7491.一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括 提供基材，其中所述基材包含钨； 提供化学机械抛光浆组合物，其包含如下组分作为初始组分 水； O.1至5重量％的磨料； 式(I)所示的O. 005至O.1重量％的双季化合物2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物显示的钨去除速 300 A/分钟。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材还包含原硅酸四乙酯；其中从所述基材去除了至少一些原硅酸四乙酯；并且，所述化学机械抛光组合物显示出钨去除速率/原硅酸四乙酯去除速率选择性为5 :1至1: 5。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材还包含Si3N4;其中从所述基材去除了至少一些Si3N4 ;并且，所述化学机械抛光组合物显示出钨去除速率/Si3N4去除速率选择性为2 :1至1: 2。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光浆组合物包含以下组分作为初始组分 水；1. 5至3. 5重量％的磨料,其中，所述磨料是平均粒径为10至IOOnm的胶态二氧化娃磨料； · 0.01至O.1重量％的双季化合物；其中每一个A是N;其中R1是-(CH2)4-基团；其中R2> R3> R4、R5> R6 以及 R7 每一个是-(CH2) 3CH3 基团； ·0.01至I重量％的邻苯二甲酸氢铵；以及， ·0.01至I重量％的碘酸钾；以及 其中所述化学机械抛光组合物的pH为2至3。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物通过以下方式促进了钛去除速率三300 A /分钟板速133转每分钟，支架转速111转每分钟，化学机械抛光组合物的流速200ml/分钟，以及使用包含聚氨酯浸溃的非机织抛光垫的化学机械抛光垫在200mm的抛光机上施加13. 8kPa的标称向下作用力。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基材还包含原硅酸四乙酯；其中从所述基材上除去至少一些原硅酸四乙酯；并且，所述化学机械抛光组合物在以下条件下显示出钨去除速率/原硅酸四乙酯去除速率...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭毅，李在锡，R·L·小拉沃，张广云，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：