一种LED装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术适用于LED领域，本实用新型专利技术提供一种LED装置，包括：所述LED装置、LED电源和连接在电源连线上串接的多个LED灯和导通电路。本实用新型专利技术提供的技术方案具有效率高，可靠性高的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于LED领域，尤其涉及一种LED装置。
技术介绍
LED灯作为现有的一种照明设备，越来越多的应用到生活的照明领域，现有的LED灯在串联连接时，其中损坏一个LED灯可能导致所有的LED灯都无法工作，现有的LED灯的工作效率也比较低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种LED装置，旨在解决现有技术的LED装置效率低和可靠性差的问题。本技术是这样实现的，一方面，提供一种LED装置，所述LED装置包括LED电源和连接在电源连线上串接的多个LED灯和导通电路；其中所述导通电路与至少一个LED灯泡并联连接；所述导通电路包括运算放大器和MOS场效应管，其中，MOS场效应管的源极与至少一个LED灯泡的正极相连，漏极与至少一个LED灯泡的负极相连接；运算放大器的同向输入端与电源VCC连接，其反向输入端与至少一个LED灯泡的负极连接，其输出端与MOS场效应管的栅极连接，所述VCC的电压值小于至少一个LED灯泡正极的电压值，所述MOS场效应管为η沟道增强型MOS场效应管；所述LED电源包括整流电路、第一电容、第一电阻、第一晶体管、第二电阻和第二晶体管；所述整流电路的正输出端连接与第一电容的一端，所述第一电容的另一端连接与第一电阻的一端和第一晶体管的集电极，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的基极连接与第二晶体管的集电极， 所述第一晶体管的发射极连接与所述第二晶体管的基极和第二电阻的一端，所述第二晶体管的发射极和所述第二电阻的另一端连接与所述整流电路的负输出端，其中所述第一电容两端连接多个LED灯；所述整流电路为桥式全波整流电路。本技术与现有技术相比，有益效果在于由于本技术的技术方案包括在LED电源板上增加了防冲击电路，在LED等的电源外壳上增加多个散热槽以增加散热效果，所以其具有防止雷击和高温下也能工作，使用寿命长的优点，另外，本技术方案也增加了导通电路，这样在串联的LED灯损坏时，其他的LED灯也可以正常工作，所有其具有可靠性高的优点。附图说明图1为本技术提供的LED装置的结构示意图；图2是本技术提供的导通电路的电路图；图3是本技术提供的LED装置的LED电源电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术提供一种LED装置，该LED装置的电路图如图1、2所示，包括包括LED电源11和连接在电源连线上串接的多个LED灯泡12和导通电路13 ；其中导通电路13与至少一个LED灯泡并联连接；导通电路13(如图2所示)包括运算放大器21和MOS场效应管22，其中，MOS场效应管的源极与至少一个LED灯泡的正极相连，漏极与至少一个LED灯泡的负极相连接；运算放大器的同向输入端与电源VCC连接，其反向输入端与至少一个LED灯泡的负极连接，其输出端与MOS场效应管的栅极连接，所述VCC的电压值小于至少一个LED灯泡正极的电压值，所述MOS场效应管为η沟道增强型MOS场效应管。LED电源(如图3所示,需要说明的是，图3并未画出导通电路)包括所述LED电源包括整流电路、第一电容Cl、第一电阻R1、第一晶体管Q1、第二电阻R2和第二 Q2 ;所述整流电路的正输出端(即Dl和D3的阴极)连接与第一电容的一端，所述第一电容的另一端连接与第一电阻的一端和第一晶体管的集电极，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的基极连接与第二晶体管的集电极，所述第一晶体管的发射极连接与所述第二晶体管的基极和第二电阻的一端，所述第二晶体管的发射极和所述第二电阻的另一端连接与所述整流电路的负输出端(即D2、D4的正极)，其中所述第一电容两端连接多个LED灯12 ;所述整流电路为桥式全波整流电路。本技术与现有技术相比，有益效果在于由于本技术的技术方案包括在LED电源板上增加了防冲击电路，在LED等的电源外壳上增加多个散热槽以增加散热效果，所以其具有防止雷击和高温下也能工作的优点，另外，导通电路，这样在串联的LED灯损坏时，其他的LED灯也可以正常工作，所有其具有可靠性高的优点。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED装置，其特征在于，所述LED装置包括:LED电源和连接在电源连线上串接的多个LED灯和导通电路；其中所述导通电路与至少一个LED灯泡并联连接；所述导通电路包括：运算放大器和MOS场效应管,其中，MOS场效应管的源极与至少一个LED灯泡的正极相连，漏极与至少一个LED灯泡的负极相连接；运算放大器的同向输入端与电源VCC连接，其反向输入端与至少一个LED灯泡的负极连接，其输出端与MOS场效应管的栅极连接，所述VCC的电压值小于至少一个LED灯泡正极的电压值，所述MOS场效应管为n沟道增强型MOS场效应管；所述LED电源包括：整流电路、第一电容、第一电阻、第一晶体管、第二电阻和第二晶体管；所述整流电路的正输出端连接与第一电容的一端，所述第一电容的另一端连接与第一电阻的一端和第一晶体管的集电极，所述第一电阻的另一端与所述第一晶体管的基极连接与第二晶体管的集电极，所述第一晶体管的发射极连接与所述第二晶体管的基极和第二电阻的一端，所述第二晶体管的发射极和所述第二电阻的另一端连接与所述整流电路的负输出端，其中所述第一电容两端连接多个LED灯；所述整流电路为：桥式全波整流电路。

【技术特征摘要】
1. 一种LED装置，其特征在于，所述LED装置包括LED电源和连接在电源连线上串接的多个LED灯和导通电路； 其中所述导通电路与至少一个LED灯泡并联连接；所述导通电路包括运算放大器和MOS场效应管，其中，MOS场效应管的源极与至少一个LED灯泡的正极相连，漏极与至少一个LED灯泡的负极相连接；运算放大器的同向输入端与电源VCC连接，其反向输入端与至少一个LED灯泡的负极连接，其输出端与MOS场效应管的栅极连接，所述VCC的电压值小于至少一个LED灯泡正极的电压值，所述MOS场效应管为η...

【专利技术属性】
技术研发人员：易权林，
申请(专利权)人：东莞市晶林灯饰有限公司，
类型：实用新型
国别省市：