半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种使用绝缘栅极型场效应晶体管的半导体装置。
技术介绍
近年来，作为兼有多晶硅或微晶硅所具有的高迁移率和非晶硅所具有的均匀的元件特性的新颖的半导体材料，被称为氧化物半导体的呈现半导体特性的金属氧化物引人注目。金属氧化物用于多种用途，例如作为众所周知的金属氧化物的氧化铟被用于液晶显示装置等中的透明电极材料。作为呈现半导体特性的金属氧化物，例如有氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等，并且已知将上述呈现半导体特性的金属氧化物用于沟道形成区域的晶体管（专利文献1以及专利文献2）。[专利文献1]日本专利申请公开2007-123861号公报[专利文献2]日本专利申请公开2007-96055号公报因为由具有非晶硅或氧化物半导体的晶体管构成的半导体显示装置能够对应第五代（横向1200mm×纵向1300mm）以上的玻璃衬底，所以有生产率高且成本低的优点。当面板大型化时，在半导体显示装置的像素部中，与多个像素连接的被称为总线的布线，例如扫描线及信号线等的负荷增大。因此，对扫描线及信号线供应电位的驱动电路需要高电流供应能力，所以有如下趋势：随着面板的大型化，构成驱动电路的晶体管，特别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：对布线供应电位的电路，该电路包括所述电位的输出一侧的第一晶体管及第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅电极及所述第二晶体管的栅电极在其间有空间地设置在层中，所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例，并且，所述第一晶体管的所述栅电极通过设置在与形成有所述第一晶体管的所述栅电极及所述第二晶体管的所述栅电极的层不同的层中的导电膜电连接到所述第二晶体管的所述栅电极。

【技术特征摘要】
2011.10.07 JP 2011-2229901.一种半导体装置，包括：对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位供应给所述布线，以及所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的半导体膜和所述第二晶体管的半导体膜分别包括氧化物半导体或非晶硅。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二晶体管的所述沟道长度与所述沟道宽度之间的所述比例比所述第一晶体管的沟道长度与所述沟道宽度之间的所述比例大两倍以上。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的氧化物半导体膜及所述第二晶体管的氧化物半导体膜分别包含铟、镓及锌。5.一种半导体装置，包括：对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位供应给所述布线，所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例，以及所述导电膜与所述第一晶体管的源电极和漏电极以及所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极为同一层。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的半导体膜和所述第二晶体管的半导体膜分别包括氧化物半导体或非晶硅。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的氧化物半导体膜及所述第二晶体管的氧化物半导体膜分别包含铟、镓及锌。8.一种半导体装置，包括：多个像素；以及对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，其中，所述布线电连接到所述多个像素，所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位供应给所述布线，以及所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂仓　真之，后藤　裕吾，三宅　博之，黑崎　大辅，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：