复合式显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种复合式显示装置，包括：基板，其中基板包括第一表面与第二表面；薄膜晶体管阵列层，形成于基板的第一表面上；第一显示装置，形成于薄膜晶体管阵列层之上；以及第二显示装置，形成于基板的第二表面上，其中基板的介电常数值(k)与基板的厚度(t)具有一对应关系，以通过薄膜晶体管阵列层主动驱动第一显示装置与第二显示装置，且基板的介电常数值(k)为约1-100，基板的厚度(t)为约0.1-60μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种共享一个薄膜晶体管(TFT)基板的复合式显示装置(hybrid display device)。
技术介绍
随着科技的进步，各种的显示器已广泛地应用于许多电子产品中。当消费者想要播放静态图像与文字，可使用低耗电的电子纸(electronic paper),若想要播放动态影像时，可选择具有高彩度与高反应速度的有机发光二极管显示器(OLED)，然而单一显示器并无法同时具有高彩度与低耗电的优点，因此整合两种显示装置的复合式显示装置(hybriddisplay device)开始受到研究的瞩目。目前复合式显示装置是分别制作两个不同的显示装置，之后通过粘合剂将两个显示装置粘贴，然而两显示装置需要两个TFT以分别驱动显示装置，且分别具有两个基板，如此一来，复合式显示装置不但整体装置厚度提高，且制程的整合亦是另一个挑战。若能提出一种复合式显示装置，其能共享一个TFT基板，并通过单一 TFT基板达到双边主动驱动，此复合式显示装置不但可减少显示装置的厚度，亦可简化制程步骤与成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种复合式显示装置，其能共享一个TF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式显示装置，其特征在于，包括：基板，其中该基板包括第一表面与第二表面；薄膜晶体管阵列层，形成于该基板的第一表面上；第一显示装置，形成于该薄膜晶体管阵列层之上；以及第二显示装置，形成于该基板的第二表面上，其中该基板的介电常数值(k)与该基板的厚度(t)具有一对应关系，以通过该薄膜晶体管阵列层主动驱动该第一显示装置与该第二显示装置，且该基板的介电常数值(k)为1?100，该基板的厚度(t)为0.1?60μm。

【技术特征摘要】
2011.10.05 TW 1001360211.一种复合式显示装置，其特征在于，包括 基板，其中该基板包括第一表面与第二表面； 薄膜晶体管阵列层，形成于该基板的第一表面上； 第一显示装置，形成于该薄膜晶体管阵列层之上；以及 第二显示装置，形成于该基板的第二表面上，其中该基板的介电常数值(k)与该基板的厚度(t)具有一对应关系，以通过该薄膜晶体管阵列层主动驱动该第一显示装置与该第二显示装置，且该基板的介电常数值(k)为1-100，该基板的厚度(t)为O. 1-60 μ m。2.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该对应关系为该基板的介电常数值(k)增加时，该基板的厚度(t)亦随之增加。3.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为1-5，且该基板的厚度为O. 1-3. 5 μ m。4.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为5-10，且该基板的厚度为O. 1-14 μ m。5.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为10-15，且该基板的厚度为O. 1-20 μ m。6.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为15-20，且该基板的厚度为O. 1-25 μ m。7.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为20-30，且该基板的厚度为O. 1-33 μ m。8.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为30-40，且该基板的厚度为O...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖贞慧，吴仲文，廖又萱，苏俊玮，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：