一种弯曲不敏感单模光纤及其制备方法技术

一种弯曲不敏感单模光纤及其制备方法，光纤波导结构包括芯层和包层，包层设有三个包层分层——包层一、包层二、包层三，其中包层一和包层三都为纯二氧化硅玻璃层，包层二为掺杂包层，芯层和三个包层分层的相对折射率差都相对于包层三，其波导结构参数为：芯层的相对折射率差：0.30％≤Δ1≤0.85％，芯层半径3.5微米≤r≤5.0微米；包层二的相对折射率差：-55.00％≤Δ2≤-45.00％，包层二半径8.0微米≤r2≤15.0微米；包层一和包层三的折射率为纯二氧化硅玻璃折射率nc，包层一半径6.0微米≤r1≤12.5微米，包层三半径为62.0微米≤r3≤63.0微米。本发明专利技术的制备方法采用汽相轴向沉积法制作芯层和包层一，然后用套管法在芯层和包层一外制作包层二和包层三。本发明专利技术的光纤具有在小弯曲半径下附加损耗小、弯曲性能优异、机械强度高等特性，光学参数和几何尺寸与G.652光纤兼容。本发明专利技术提出的制备方法工艺简单，便于操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光纤及其制备方法，尤其是具有优异的弯曲性能的弯曲不敏感单模光纤及其制备方法。
技术介绍
随着光纤到户(FTTH)工作的逐步发展，光纤接入网建设量明显增加，这就要求适宜于接入网的单模光纤具有在小弯曲半径下附加损耗小、机械强度高等特性，便于布线施エ和卷曲，同时能控制与已铺设光纤的接续损耗。 目前国内普遍应用的G. 652标准光纤的弯曲半径为25mm，受弯曲半径的限制，光纤不能随意地进行小角度弯曲安装。美国专利US4，838，643描述了ー种W型波导结构的光纤，其弯曲性能有一定改善，该光纤分三层结构光纤芯层、下凹包层、外包层。同时，光纤的截止波长在1130nm-1330nm时，模场直径为5-7 u m,截止波长在1200nm-1280nm时，模场直径为6-6. 5 u m0这种光纤模场直径太小，与常规光纤无法兼容。中国专利CN1632628A描述了ー种弯曲不敏感光纤及其制备方法，采用等离子体化学气相沉积法PCVDエ艺设计光纤预制棒折射率剖面，其波导结构具有芯层和包层，其中包层分为五个折射率不同的分包层，采用围绕芯层多圈的不同成分的包层结构以降低相对于芯层的折射率。但是P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弯曲不敏感单模光纤，其波导结构包括芯层和包层，其特征在于包层设有三个包层分层——包层一、包层二、包层三，其中包层一和包层三都为纯二氧化硅玻璃层，包层二为掺杂包层，芯层和三个包层分层的相对折射率差都相对于包层三，其波导结构参数为：芯层的相对折射率差：0.30％≤Δ1≤0.85％，芯层半径3.5微米≤r≤5.0微米；包层二的相对折射率差：?55.00％≤Δ2≤?45.00％，包层二半径8.0微米≤r2≤15.0微米；包层一和包层三的折射率为纯二氧化硅玻璃折射率nc，包层一半径6.0微米≤r1≤12.5微米，包层三半径为62.0微米≤r3≤63.0微米。

【技术特征摘要】
1.一种弯曲不敏感单模光纤，其波导结构包括芯层和包层，其特征在于包层设有三个包层分层一包层一、包层二、包层三，其中包层一和包层三都为纯二氧化硅玻璃层，包层二为掺杂包层，芯层和三个包层分层的相对折射率差都相对于包层三，其波导结构参数为 芯层的相对折射率差0. 30%彡A I彡0. 85%，芯层半径3. 5微米彡r彡5. 0微米； 包层二的相对折射率差-55. 00 % ^ A 2彡-45. 00 %，包层二半径8. 0微米^ r2 ^ 15. 0 微米； 包层一和包层三的折射率为纯二氧化硅玻璃折射率nc，包层一半径6.0微米^ rl ^ 12. 5微米，包层三半径为62. 0微米彡r3 ( 63. 0微米。2.按权利要求1所述的一种弯曲不敏感单模光纤，其特征在于光纤弯曲特性为在1625nm波长处，以IOmm直径弯曲一圈的情况下，其典型...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺作为，袁健，孙贵林，殷国亮，张良，宋君，
申请(专利权)人：江苏亨通光纤科技有限公司，江苏亨通光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：