一种小模场抗弯曲单模光纤制造技术

本发明专利技术涉及一种小模场抗弯曲单模光纤，包括芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.9％~1.1％，芯层半径R1为2.4~3.0μm；围绕在芯层外有内、外两个包层；内包层相对折射率差Δ2为0％~-0.1％，内包层半径R2为9~12μm；内包层外为外包层。本发明专利技术能有效将光信号约束在芯层中进行传播，同时在弯曲状态下，有效阻止光信号向外层传播，使光纤的抗弯曲性能得到极大提高，能在最小弯曲半径达到3mm的极小弯曲半径情况下使用；光纤的芯层和内包层掺杂有氟，使得芯层与包层材料的粘度失配问题得到改善，拉丝后光纤内部残余应力减少，可以改善光纤的衰减性能；本发明专利技术可在光纤器件中使用，增强光纤器件的运行能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于光通信系统的小模场抗弯曲单模光纤，该光纤具有极小的弯曲附加损耗，可在光纤器件中使用，属于光通信

技术介绍
随着光通信技术的快速发展，单模光纤取代铜线已经大量应用于中短距离的控制系统中，在系统集成过程中人们对于器件小型化提出越来越高的要求，因此光纤的弯曲半径也要求越来越小，在很小的弯曲半径下，极低的弯曲附加损耗是非常重要的要求。在已使用的器件中要求光纤最小弯曲半径达到3_。通常改善单模光纤的抗弯曲性能有两种方式，一是减小光纤模场直径而同时保证截止波长，即保持一定的MAC值(模场直径与截止波长之比)，MAC值越小，则弯曲损耗对 应越小。二是采用双包层结构来改善弯曲性能；或者是将内包层变成下陷包层，或者在内包层之外增加下陷包层，以保证较大的模场直径的同时，改善光纤的抗弯曲特性。后一种方法在弯曲不敏感光纤(即G. 657光纤)中得到普遍应用。如中国专利CN101598834A，美国专利US7450807以及欧洲专利EP1978383等。在美国专利US7450807中，描述了一种通过加深下限环的低弯曲损耗光纤，但其抗弯曲性能仍属普通抗弯曲光纤的水平。在专利TO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小模场抗弯曲单模光纤，包括芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.9％~1.1％，芯层半径R1为2.4~3.0μm；围绕在芯层外有内、外两个包层；内包层相对折射率差Δ2为0％~?0.1％，内包层半径R2为9~12μm；内包层外为外包层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪松，王忠太，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆有限公司，
类型：发明
国别省市：