陶瓷基板的加工方法技术

本发明专利技术有关于一种陶瓷基板的加工方法，该加工方法包含以下步骤，首先浸泡一陶瓷基板于一化学溶液之中，使得该陶瓷基板的一表面被该化学溶液蚀刻，而该陶瓷基板浸泡于该化学溶液的时间实质为两分钟，且操作温度为室温。借此，被蚀刻后的陶瓷基板的表面的粗糙度将可使一电路结构较牢固地贴覆于该陶瓷的表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种基板的加工方法，特别是指一种应用于。
技术介绍
随着电子元件的微型化及轻型化的发展，现有利用铝板作为基板的技术已逐渐被质量较轻的陶瓷基板所取代，陶瓷基板具有高度的绝缘性、优良的化学安定性、硬度高、耐高温等特性，使得陶瓷基板比铝板更具有良好的基板适性。一般惯用于在陶瓷基板上加工的方法不外乎热压合或是高温共烧等方式。但若使用热压合的方式将金属材质成型于陶瓷基板之上时，若金属材质过厚，则会使接合面氧化以及整体的热阻上升等缺点；若金属材质过薄，则使金属材质易于剥离或产生龟裂，降低整体的合格率。因此，热压合的方式常局限于技术的问题。另一方面，高温共烧的方式，则是受限于须使用高熔点的金属材质，例如钨、锰等金属，此类金属不但提高了整体的电路电阻，且成品的性能也不佳。另外，利用高温共烧的方式更提高了整体工艺的成本。虽近年也改良成低温共烧的方式加工陶瓷基板，但步骤依然繁冗复杂，也无法有效的大幅降低成本。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种，其可使加工后的陶瓷基板的表面易于被一电路结构牢固贴覆于其上。本专利技术的又一目的在于提供一种较低成本的。 为了达到上述目的，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷基板的加工方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤S1，浸泡陶瓷基板于化学溶液之中，使得该陶瓷基板的表面被该化学溶液蚀刻；以及步骤S2，取出该陶瓷基板，并且将残留在该陶瓷基板上的该化学溶液清除；其中该陶瓷基板浸泡于该化学溶液的时间为两分钟，且操作温度为室温。

【技术特征摘要】
2011.10.05 TW 1001360071.一种陶瓷基板的加工方法，其特征在于，包含以下步骤 步骤Si，浸泡陶瓷基板于化学溶液之中，使得该陶瓷基板的表面被该化学溶液蚀刻； 以及步骤S2，取出该陶瓷基板，并且将残留在该陶瓷基板上的该化学溶液清除； 其中该陶瓷基板浸泡于该化学溶液的时间为两分钟，且操作温度为室温。2.如权利要求1所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，该化学溶液为复合酸。3.如权利要求1所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S2之后还包含以下步骤步骤S3，借助催化剂来活化该陶瓷基板的该表面。4.如权利要求3所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，该催化剂包含钯金属。5.如权利要求3所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S3之后还包含以下步骤步骤S4，形成电路结构于活化后的该陶瓷基板的该表面上。6.如权利要求5所述的陶瓷基板的加工方法，其特征在于，步骤S4包含以下步骤 步骤S411，形成铜层于活化后的该陶瓷基板的该表面上； 步骤S412，形成锡层于该铜层上； 步骤S413，形成图案化光阻层于该锡层上； 步骤S414，移除未被该图案化光阻层覆盖的该铜层及该锡层； 以及步骤S415，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹治中，邱显政，吕英杰，江国丰，
申请(专利权)人：鑫勇靖科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：