包括增加的热耗散能力的3D集成电子装置结构制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本文所呈现的实施例涉及微电子装置结构，并且更具体来说，涉及包括増加的热耗散能力的三维(3D)微电子集成电路(IC)芯片结构。
技术介绍
微机电系统(MEMS)是小型化装置，例如尺寸范围可从小于I微米至大约Imm或以上的微开关。3D集成电路一般包括垂直和水平集成的堆叠配置的两层或更多层的电子部件。这些装置一般要求受控环境以在长的时间段操作。热量的耗散是任何高功率电子或电气应用中的主要问题，并且在高功率微机电系统或MEMS装置中是极为重要的。称作TSV的穿透衬底通孔(through substrate vias)用作芯片(例如存储器芯片)的堆叠中的导体,从而提供芯片之间的热量路径以及其它功能。可集成用于耗散热量的附加设施。大多数MEMS装置使用引线接合(wirebonding)来互连。然而，在高功率MEMS应用中，引线接合可能引起装置性能中的严重限制。与引线接合关联的限制与下列因素相关，包括但不限于引线的电流处理能力以及可能特别影响短电流浪涌的处理的不充分热路径。在其它情况下，MEMS装置可使用带接合(ribbon bonding)来互连,带接合具有装置的性能中的相...
【技术保护点】
一种设备（100、200、300），包括：三维（3D）集成芯片组件（105），所述芯片组件包括：装置衬底（132）；有源装置（144），包括放置在所述装置衬底（132）上的一个或多个发热元件；盖层（114），在物理上接合到所述装置衬底（132）；以及气密密封（148），在所述有源装置（144）周围形成，所述气密密封（148）至少部分由所述装置衬底（132）和所述盖层（114）来限定；以及衬底（110），其中所述三维（3D）集成芯片组件（105）倒装芯片接合到所述衬底（110），其中多个热量耗散路径（156）通过所述三维（3D）集成芯片组件（105）延伸，以耗散在其中生成的热量。
【技术特征摘要】
2011.09.30 US 13/249,4921.一种设备(100、200、300)，包括 三维(3D)集成芯片组件(105)，所述芯片组件包括 装置衬底(132)； 有源装置(144)，包括放置在所述装置衬底(132)上的一个或多个发热元件； 盖层(114)，在物理上接合到所述装置衬底(132);以及 气密密封(148)，在所述有源装置(144)周围形成，所述气密密封(148)至少部分由所述装置衬底(132)和所述盖层(114)来限定；以及 衬底(110)，其中所述三维(3D)集成芯片组件(105)倒装芯片接合到所述衬底(110)， 其中多个热量耗散路径(156)通过所述三维(3D)集成芯片组件(105)延伸，以耗散在其中生成的热量。2.如权利要求1所述的设备(100、300)，还包括经由热界面材料( Μ)(154)安置成接近所述三维(3D)集成芯片组件(105)的散热器(152)，用于有助于从所述设备(100、300)耗散热量。3.如权利要求1所述的设备(100、300)，其中，所述盖层(114)还包括在其中形成的多个穿透晶圆通孔(130)以及放置在其第一主表面(122)之上的多个第一输入/输出触点(120)和放置在其第二主表面(124)之上的多个第二输入/输出触点(126)，其中所述多个第二输入/输出触点(126)通过所述多个穿透晶圆通孔(130)电连接到所述多个第一输入/输出触点(120)。4.如权利要求1所述的设备(200)，其中，所述装置衬底(132)还包括在其中形成的多个穿透晶圆通孔(130)以及放置在其第一主表面(140)之上的多个第一输入/输出触点(120)，其中所述多个第二输入/输出触点(120)通过所述多个穿透晶圆通孔(130)电连接到所述有源装置(144)。5.如权利要求1所述的设备，其中，在所述有源装置(144)周围所形成的所述气密密封(148)由所述装置衬底(132)、所述盖层(114)以及互连所述盖层(114)和所述装置衬底(132)的多个电互连(126、138、143)来限定。6.如权利要求1所述的设备，还包括在所述有源装置(144)周围放置的密封环(146)，其中在所述有源装置(144)周围形成的所述气密密封(148)由所述装置衬底(132)、所述盖层(114)和所述密封环(146)来限定。7.—种设备,包括 MEMS装置(105)，包括盖层(114)和至少部分由所述盖层(114)所限定的气密密封(148);以及 衬底(110)， 其中所述MEMS装置(105)配置成倒装芯片接合到所述衬底(110)。8....
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