【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜晶体管领域，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)是通过在绝缘支撑基底上沉积半导体材料的薄膜而制成的一种场效应晶体管。现在，商业上可获得的产品(例如笔记本计算机、PC监视器、TV、移动装置等)大部分包括非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)。随着尺寸更大并且图像质量更高的显示装置的需求的增加，需要电子迁移率比a-Si TFT的电子迁移率(例如O. 5cm2/Vs至lcm2/Vs)高的高性能薄膜晶体管以及制造技术。多晶硅TFT具有优于a-Si TFT的性能。多晶硅(多晶Si) TFT具有几十cm2/Vs至 几百cm2/Vs的迁移率，因此高迁移率所需的数据驱动电路或外围电路可以嵌入在基底中。另外，这样的TFT的沟道可以被制造成短的，因此屏幕的开口率可以高。此外，由于驱动电路被嵌入在基底中，所以在根据像素数目的增加布置用于连接驱动电路的布线方面没有节距的限制，因此可实现高分辨率，可降低接通电压和功耗，并且多晶Si TFT可具有较少的特性劣化。然而，用于制造多晶Si TFT的结晶化工艺复杂，因此制造成本会增加。另外，由于技术问题，直到最近还没有实现使用多晶Si TFT对大型基底的制造。氧化物半导体装置可分为包括结晶氧化物(例如ZnO)的结晶氧化物半导体装置以及包括非晶氧化物(例如GIZO(GaInZnO))的非晶氧化物半导体装置。非晶氧化物半导体装置可以在低温下制造，可以容易地制成大的尺寸，并且像多晶Si TFT —样具有高的迁移率和优异的电特性。因此，为了在TFT的沟道区中使用氧化物半导体层，当前正在进行研究。专利技术内...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括衬底、源漏极、有源层、绝缘层以及栅极，其中有源层为含IIIB族金属氧化物。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括衬底、源漏极、有源层、绝缘层以及栅极，其中有源层为含 IIIB族金属氧化物。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于上述IIIB族金属氧化物包括Sc、Y 和稀土元素的一种或多种。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于上述衬底为柔性或刚性衬底。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于上述缓冲层为有机物或无机物。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于上述有...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲志乾，于正友，魏薇，
申请(专利权)人：青岛盛嘉信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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