【技术实现步骤摘要】
结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池
本专利技术关於一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，其目的系将此设计充分吸收太阳光频谱，以提升硅薄膜太阳能电池效率。
技术介绍
目前，在所有薄膜太阳能电池的开发中皆致力於提升太阳能电池的效率，以藉此降低薄膜太阳能电池的成本。业界关於硅薄膜太阳能电池的开发多为非晶硅薄膜，或是双结串联硅薄膜。其中氢化非晶硅薄膜能隙为1. 8电子伏特，双结串联氢化硅薄膜则为能隙1. 8 电子伏特的氢化非晶硅薄膜与能隙1.1电子伏特的氢化微晶硅薄膜的串联组合，但此两者皆无法充份完全吸收太阳光频谱。
技术实现思路
本专利技术提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶娃薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本专利技术可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。具体实施方示兹将本专利技术配合附图，详细说明如下请参阅第一图，为本专利技术之动作流程方块示意图。由图中可知，首先在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层，接著沉积N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜，再接著N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜，再接著沉积N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜，最后为沉积第三透明导电层、金属电极。请参阅第二...
【技术保护点】
一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极；本专利技术可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
【技术特征摘要】
1.一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极；本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。2.根据权利要求1所述的一种氢化娃与氦化娃制作三结基材型娃薄膜太阳能电池，其中该第一透明导电层薄膜，第二透明导电层薄膜與第三透明导电层，薄膜材料涵盖铟锡氧化物(I...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏昌，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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