【技术实现步骤摘要】
一种内存可靠性测试方法
本专利技术涉及计算机配件测试方法,具体的说是一种测试全面、电压可调的内存可靠性测试方法。
技术介绍
目前业界在内存可靠性测试中,多在高温环境中采用针对主机输入端电压进行拉偏,同时整个主机持续运行针对内存的读、写压力程序,来评测主机搭配内存的可靠性。而所有主板在设计时内存都有各自的VR电路,无论板子的输入电压在允许的范围内出现负压或高压的情况,VR电路都会调整已保证以一个相对稳定电压值给内存供电,因此目前的业界针对内存可靠性的测试方法存在局限性。
技术实现思路
本专利技术的技术任务是解决现有技术的不足,提供一种过程简单、通过调整电压完成内存内存可靠性测试的方法。本专利技术的技术方案是按以下方式实现的,该一种内存可靠性测试方法,其具体步骤为:1)准备测试硬件平台:准备测试主机平台、预测试的内存条以及在测试主机上安装操作系统和测试软件,并将VID拨码开关电路接入主板上内存VR控制器;2)将测试平台置于高温环境中,通过拨码开关调整至少两组内存的供电电压,开始测试;3)不同电压环境下分别测试至少24小时,该不同电压环境下的测试时间相同,全部运行完成后,检 ...
【技术保护点】
一种内存可靠性测试方法,其特征在于其具体测试步骤为:1)准备测试硬件平台:准备测试主机平台、预测试的内存条以及在测试主机上安装操作系统和测试软件,并将VID拨码开关电路接入主板上内存VR控制器;2)将测试平台置于高温环境中,通过拨码开关设置至少两组内存的供电电压,开始测试;3)不同电压环境下分别测试至少24小时,该不同电压环境下的测试时间相同,全部运行完成后,检查内部文件中记录的内存报错提示并记录,结束测试。
【技术特征摘要】
1.一种内存可靠性测试方法,其特征在于其具体测试步骤为:1)准备测试硬件平台:准备测试主机平台、预测试的内存条以及在测试主机上安装操作系统和测试软件,并将VID拨码开关电路接入主板上内存VR控制器;该VID拨码开关电路与VR控制器之间的连接电路包括拨码开关、VR控制器、两个P沟道MOS、保护电阻L和电容C,其具体连接方式为:在电压输入端与VR控制器之间接入一MOS管,该MOS管的栅极连接VR控制器、漏极连接电压输入端、源极连接第二MOS管的漏极和电阻L的输入端,所述第二MOS管的栅极连接VR控制器、源极连接地和电容C的输入端,所述电阻的输出端、电容输出端均连接电压输出端;上述VR控制器还连接有拨码开关;2)将测试平台置于高温环境中,通过拨码开关设置至少两组内存的供电电压,开始测试,该高温环境是指40℃以上的环境;3)不同电压环境下分别测试至少24小时,该不同电压环境下的测试时间相同,全部运行完成后,检查内部文件中记录的内存报错提示并记录,结束测试。2.根据权利要求1所述的一种内存可靠性测试方法,其特征在于:所述步骤2)中拨码开关设置并调整的内存供电电...
【专利技术属性】
技术研发人员:王磊,王守昊,
申请(专利权)人:浪潮电子信息产业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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