电容式加速度计制造技术

本发明专利技术公开了一种电容式加速度计，包括基板及第一半导体结构层。第一半导体结构层设置在基板上，包括第一质量块、第一及第二支撑基座、第一及第二弹性件，及第一及第二梳状电容组。第一及第二支撑基座分别对应第一及第二轴向。第一弹性件以垂直于第一轴向来回弯折的方式连接在第一质量块及第一支撑基座间。第二弹性件以垂直于第二轴向来回弯折的方式连接在第一质量块及第二支撑基座间。第一及第二梳状电容组分别设置在对应第二及第一轴向的位置上且连接于第一质量块。第一轴向垂直于第二轴向。借此，电容式加速度计的体积可进一步地缩减。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种加速度计，特别是涉及一种电容式加速度计。
技术介绍
一般而言，传统三轴电容式加速度计采用各感测轴独立的电容感测结构设计，也 就是用来感测X轴、Y轴及Z轴加速度的质量块与其相关感测电极组件分别独立设置，以达 到三轴独立感测的目的。此种配置虽然可在加速度感测上具有避免各轴的线性度及灵敏度 受到它轴影响而降低的功效，但是为了同时达到降低机械噪声的目的，往往就会产生加速 度计的整体尺寸过大的问题。因此，如何进一步地缩减其整体尺寸及提升其灵敏度与线性 度为目前电容式加速度计在结构设计上的重要课题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电容式加速度计，以解决上述之问题。基于上述目的，本专利技术提供一种电容式加速度计，所述电容式加速度计包括一基 板及一第一半导体结构层。所述第一半导体结构层设置在所述基板上，所述第一半导体结 构层包括一第一质量块、至少一第一支撑基座、一第一弹性件、至少一第一梳状电容组、至 少一第二支撑基座、一第二弹性件及至少一第二梳状电容组。所述第一支撑基座位在所述 第一质量块对应一第一轴向的至少一侧。所述第一弹性件以垂直于所述第一轴向来回弯折 的方式连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式加速度计，其特征在于，所述电容式加速度计包括：一基板；及一第一半导体结构层，设置在所述基板上，所述第一半导体结构层包括：一第一质量块；至少一第一支撑基座，位于所述第一质量块对应一第一轴向的至少一侧；一第一弹性件，以垂直于所述第一轴向来回弯折的方式连接在所述第一质量块及所述第一支撑基座之间，用以使所述第一质量块在所述第一轴向受力时沿所述第一轴向弹性平移；至少一第一梳状电容组，连接在所述第一质量块对应一第二轴向的至少一侧上；至少一第二支撑基座，位于所述第一质量块对应所述第二轴向的至少一侧；一第二弹性件，以垂直于所述第二轴向来回弯折的方式连接在所述第一质量块及所述第二支撑基座之间，用以使所...

【技术特征摘要】
2011.09.26 TW 1001345671.一种电容式加速度计，其特征在于，所述电容式加速度计包括 一基板；及 一第一半导体结构层，设置在所述基板上，所述第一半导体结构层包括 一第一质量块； 至少一第一支撑基座，位于所述第一质量块对应一第一轴向的至少一侧； 一第一弹性件，以垂直于所述第一轴向来回弯折的方式连接在所述第一质量块及所述第一支撑基座之间，用以使所述第一质量块在所述第一轴向受力时沿所述第一轴向弹性平移； 至少一第一梳状电容组，连接在所述第一质量块对应一第二轴向的至少一侧上； 至少一第二支撑基座，位于所述第一质量块对应所述第二轴向的至少一侧； 一第二弹性件，以垂直于所述第二轴向来回弯折的方式连接在所述第一质量块及所述第二支撑基座之间，用以使所述第一质量块在所述第二轴向受力时沿所述所述第二轴向弹性平移 '及 至少一第二梳状电容组，连接在所述第一质量块对应所述第一轴向的至少一侧上； 其中所述第一轴向垂直于所述所述第二轴向。2.如权利要求1所述的电容式加速度计，其特征在于，所述基板具有至少一感测电极，所述电容式加速度计还包括 一第二半导体结构层，设置在所述基板上且位于所述第一半导体结构层的一侧，所述第二半导体结构层包括 一第二质量块，沿所述第一轴向或所述第二轴向具有一转动轴，用来与所述感测电极产生一感测电容 '及 至少一第三支撑基座，连接于所述转动轴，用以使所述第二质量块不对称地浮置在所述感测电极的上方； 其中当所述第二质量块在一第三轴向受力时，所述第二质量块以所述转动轴为中心枢转，所述第三轴向垂直于所述第一轴向及所述第二轴向。3.如权利要求1所述的电容式加速度计，其特征在于，所述第一半导体结构层包括二第一梳状电容组，每一第一梳状电容组包括 复数个梳状电容板，自所述第一质量块上延伸形成；及 复数个固定梳状电容板，固定在所述基板上且与该等梳状电容板相互平行并交替排列； 其中该等第一梳状电容组上的梳状电容板与固定梳状电容板的组数彼此相异。4.如权利要求1所述的电容式加速度计，其特征在于，所述第一半导体结构层包括二第一支撑基座及二第一弹性件，每一第一弹性件分别以垂直于所述第一轴向来回弯折的方式连接在所述第一质量块及相对应的第一支撑基座之间，该等第一弹性件的弯折次数彼此相异。5.一种电容式加速度计，其特征在于，所述电容式加速度计包括 一基板；及 一第一半导体结构层，设置在所述基板上，所述第一半导体结构层包括 一第一质量块；至少二第一支撑基座，分别位于所述第一质量块对应一第一轴向的至少一侧； 二第一弹性件，分别以平行于所述第一轴向来回弯折的方式连接在所述第一质量块及相对应的第一支撑基座之间，用以使所述第一质量块在一第二轴向受力时沿所述第二轴向弹性平移； 至少一第一梳状电容组，连接在所述第一质量块对应所述第一轴向的至少一侧上；至少二第二支撑基座，分别位于所述第一质量块对应所述第一轴向的至少一侧；二第二弹性件，分别以平行于所述第二轴向来回弯折的方式连接在所述第一质量块及相对应的第二支撑基座之间，用以使所述第一质量块在所述第一轴向受力时沿所述第一轴向弹性平移 '及 至少一第二梳状电容组，连接在所述第一质量块对应所述第二轴向的至少一侧上； 其中该等第一弹性件的弯折次数彼此相异，所述第一轴向垂直于所述第二轴向。6.如权利要求5所述的电容式加速度计，其特征在于，所述基板具有至少一感测电极，所述电容式加速度计还包括 一第二半导体结构层，设置在所述基板上且位于所述第一半导体结构层的一侧，所述第二半导体结构层包括 一第二质量块，沿所述第一轴向或所述第二轴向具有一转动轴，用来与所述感测电极产生一感测电容 '及 至少一第三支撑基座，连接于所述转动轴，用以使所述第二质量块不对称地浮置在所述感测电极的上方； 其中当所述第二质量块在一第三轴向受力时，所述第二质量块以所述转动轴为中心旋转，所述第三轴向垂直于所述第一轴向及所述第二轴向。7.如权利要求5所述的电容式加速度计，其特征在于，所述电容式加速度计包括二第一梳状电容组，每一第一梳状电容组包括 复数个梳状电容板，自所述第一质量块上延伸形成；及 复数个固定梳状电容板，固定在所述基板上且与该等梳状电容板相互平行并交替排列； 其中该等第一梳状电容组上的梳状电容板与固定梳状电容板的组数彼此相异。8.一种电容式加速度计，其特征在于，所述电容式加速度计包括 一基板；及 一第一半导体结构层，设置在所述基板上，所述第一半导体结构层包括 一第一质量块； 至少一第一支撑基座，位于所述第一质量块对应一第一轴向的至少一侧； 一第一弹性件，具有一第一弯折结构及一第一阶梯结构，所述第一弯折结构以对应所述第一轴向来回弯折的方式连接于所述第一支撑基座，所述第一阶梯结构连接在所述第一质量块及所述第一弯折结构之间； 至少一第一梳状电容组，连接在所述第一质量块对应所述第一轴向的至少一侧上； 至少一第二支撑基座，位于所述第一质量块对应一第二轴向的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈靖凯，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：