【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多芯片射频电路，且特别是涉及一种可在多种模式间切换的多芯片射频电路。
技术介绍
1、为了提升射频电路的工作效能，常使射频电路可操作在不同的模式中。为了执行这些模式的切换，在射频电路中，除需要设置相应的放大电路外，也需要设置开关元件以完成操作模式的切换。
2、在熟知的
中，常使具有放大电路及开关元件的多模式的射频电路设置在单一芯片中(chip)。为了顾及其中的放大电路及开关元件的工作效能，多模式的射频电路常应用双极结型场效应晶体管(bipolar field effect transistor,bifet)或双极型互补金属氧化物半导体(bipolar complementary metal oxide semiconductor,bicmos)工艺的芯片来建构。然而，双极结型场效应晶体管及双极型互补金属氧化物半导体工艺的芯片所需花费的材料成本高昂，并且，在单一个双极结型场效应晶体管或双极型互补金属氧化物半导体工艺的芯片中同时设置放大电路以及开关元件会提升工艺的复杂度，因而造成电路成本的增加。此外，在双极...
【技术保护点】
1.一种多芯片射频电路，耦接于一第一端口与一第二端口之间，该第一端口设置于一第一芯片，该第二端口设置于一第二芯片，其特征在于，该多芯片射频电路包括：
2.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一芯片的材料包括砷化镓或硅锗，该第二芯片的材料包括绝缘层覆硅。
3.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一芯片的元件包括三五族化合物半导体、双极结型场效应晶体管或双极型互补金属氧化物半导体，该第二芯片的元件包括互补金属氧化物半导体或假晶高电子迁移率晶体管。
4.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种多芯片射频电路，耦接于一第一端口与一第二端口之间，该第一端口设置于一第一芯片，该第二端口设置于一第二芯片，其特征在于，该多芯片射频电路包括：
2.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一芯片的材料包括砷化镓或硅锗，该第二芯片的材料包括绝缘层覆硅。
3.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一芯片的元件包括三五族化合物半导体、双极结型场效应晶体管或双极型互补金属氧化物半导体，该第二芯片的元件包括互补金属氧化物半导体或假晶高电子迁移率晶体管。
4.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中在一低功率模式下，该多芯片射频电路通过该第一路径传输一射频信号；在一高功率模式下，该多芯片射频电路通过该第二路径传输该射频信号。
5.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一路径的所经过的放大器的数量小于该第二路径的所经过的放大器的数量。
6.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一开关设置于该第二芯片。
7.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该多芯片射频电路所包含的所有开关都设置于该第二芯片。
8.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一放大电路包括一第一放大器，该第一开关耦接于该第一端口与该第一放大器之间，当选择该第一路径时，该第一开关为截止，当选择该第二路径时，该第一开关为导通。
9.根据权利要求8所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该传输电路的该至少一传输开关包括：
10.根据权利要求8所述的多芯片射频电路，其特征在于，还包括一第二放大电路，其中该第二放大电路还包括一第二放大器，该第二放大器耦接于该第一端口与该第一放大器之间，该第一开关还耦接于该第二放大器与该第一放大器之间。
11.根据权利要求10所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该传输电路的该至少一传输开关包括：
12.根据权利要求1所述的多芯片射频电路，其特征在于，还包括一第一分流电路，该第一分流电路包括一第一电抗元件，该第一电抗元件为一第一电容或一第一电感，该第一分流电路的一第一端耦接至该第一放大电路，且该第一分流电路的一第二端耦接至一参考电压端。
13.根据权利要求12所述的多芯片射频电路，其特征在于，其中该第一分...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈长亿，陈智圣，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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