一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺，其步骤是：1.清洁陶瓷盘，将陶瓷盘浸泡后，用纯水冲洗其表面，收集冲洗纯水进行液体颗粒度测试，满足要求即可使用；2.将吸附垫粘贴在陶瓷盘表面；3.刷洗吸附垫表面并用纯水浸湿；4.将重掺硅晶圆片放入吸附垫的槽中，旋转挤压水分，根据挤压出的水分量确认重掺硅晶圆片被吸附垫是否有效吸附固定在槽中；5.按照设定参数进行两次粗抛光，再进行精抛光；6.采用清洗机清洗重掺硅晶圆片。采用本工艺，使重掺硅晶圆片达到表面局部平整度值＜1.5μm的水平，其背面得到较好的洁净度，对清洗设备的沾污得到有效控制，降低了清洗难度和成本，对满足大规模集成电路的要求具有重大意义和实用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅晶圆片的加工方法，特别涉及一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺，该工艺适用于生产大规模集成电路所需的硅晶圆抛光片中。
技术介绍
在大规模集成电路制造中，化学机械抛光技术是一种不可缺少的实用技术，不仅在材料制备阶段用于超光滑无损伤单晶硅衬底的加工，而且也是多层布线金属互联结构工艺中实现局部和全局平坦化的理想方法。硅晶圆片抛光是利用化学和机械作用最后消除硅晶圆片表面的损伤与变形层的操作，化学机械抛光综合了化学抛光无损伤和机械抛光易获平整、光亮表面的特点。在抛光过程中，化学腐蚀和机械摩擦两种作用就这样交替、循环地进行，达到去除硅晶圆片表面因 前工序残余的机械损伤，从而获得一个平整、光亮、无损伤、几何精度高的镜面。随着芯片特征尺寸的不断缩小和芯片集成度的不断提高，对化学机械抛光提出了更高的要求。硅晶圆片、抛光液及抛光垫是组成硅化学机械抛光系统的三个主要组成要素，化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并与工件表面产生化学反应，在工件表面生成一层容易去除的化学反应膜，工件表面形成的化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺，其特征在于，包括以下次序的工艺步骤：（一）.清洁陶瓷盘，将陶瓷盘浸泡在浓度为10%的KOH溶液中，4小时后，用纯水冲洗其表面，收集冲洗纯水进行液体颗粒度测试，满足颗粒度要求即可使用；?（二）.将用于装载重掺硅晶圆片的吸附垫粘贴在清洁干燥的陶瓷盘表面，以便在抛光过程中固定重掺硅晶圆片；（三）.刷洗吸附垫表面，去除其污染物，用纯水浸湿吸附垫，使其能够将重掺硅晶圆片牢牢吸附在内；?（四）.手动将重掺硅晶圆片放入吸附垫的槽中，并旋转挤压重掺硅晶圆片与槽中的水分，根据挤压出的水分量确认重掺硅晶圆片被吸附垫是否有效吸附固定在槽中；（五）.进行粗抛光，首先采用...

【技术特征摘要】
1.一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺，其特征在于，包括以下次序的工艺步骤 (一).清洁陶瓷盘，将陶瓷盘浸泡在浓度为10%的KOH溶液中，4小时后，用纯水冲洗其表面，收集冲洗纯水进行液体颗粒度测试，满足颗粒度要求即可使用； (二)·将用于装载重掺硅晶圆片的吸附垫粘贴在清洁干燥的陶瓷盘表面，以便在抛光过程中固定重掺娃晶圆片； (三).刷洗吸附垫表面，去除其污染物，用纯水浸湿吸附垫，使其能够将重掺硅晶圆片牢牢吸附在内； (四).手动将重掺硅晶圆片放入吸附垫的槽中，并旋转挤压重掺硅晶圆片与槽中的水分，根据挤压出的水分量确认重掺硅晶圆片被吸附垫是否有效吸附固定在槽中； (五)·进行粗抛光，首先采用无蜡抛光粗抛系统连续进...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建伟，李满，垢建秋，曲涛，石明，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：