【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高温超导材料制备
,涉及涂层导体织构基带溶液沉积平坦化的方法。
技术介绍
随着下一代的电子产品朝着智能化、集成化、人性化的发展趋势,柔性衬底的应用越来越广泛,例如显示屏、印制电路板、先进能源材料(如太阳能电池),以及高温超导涂层导体(HTSCCs)等。与传统材料相比,柔性衬底具有机械强度高、体积小、比表面积大等优点,更重要的是采用辊到辊(reel to reel)卷绕方法制备时可以大幅降低工业制造的成本;然而工业用柔性基带的表面粗糙度通常都达不到使设备性能最优化所需要的标准,这样其低成本的优势就可能无法实现。高温超导涂层导体是目前超导领域的研究热点之一,其制备方法包括轧制辅助双轴织构基带(RABiTS)和离子束辅助沉积(IBAD)。采用离子束辅助沉积(IBAD)来获得具有高度织构的生长超导功能层的衬底,IBAD-MgO以其快速获得织构的优势收到极大关注。为达到实际应用,需要一种能廉价、快速的制备IBAD-MgO所需要的光滑基底的工艺。传统的抛光工艺如机械抛光和电化学抛光都可以使基带表面变平坦。机械抛光是一个获得光滑基带的很好的方法,但是由于成 ...
【技术保护点】
高温超导涂层导体基底平坦化方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)无水前驱液制备:将硅源与溶剂按预定比例完全溶解混合均匀,加入溶剂体积1/3~1/2的甲醇,并加热至40~50℃搅拌,低压蒸馏除水;然后停止低压蒸馏和加热,仅搅拌;最后通过加入溶剂进行定容,形成第一前驱溶液,第一前驱溶液的Si离子摩尔浓度为0.2?0.8mol/l;通过加入溶剂稀释第一前驱溶液,得到第二前驱溶液,其Si离子摩尔浓度为0.02?0.2mol/l;所述硅源为正硅酸乙酯或正硅酸丙酯,所述溶剂为异丙醇,或乙醇,或乙醚;(2)旋涂:将第一前驱溶液滴在基片表面,涂覆一层均匀液膜于基片上;退火:将涂覆有液膜的基 ...
【技术特征摘要】
1.高温超导涂层导体基底平坦化方法,其特征在于,包括下述步骤(1)无水前驱液制备将硅源与溶剂按预定比例完全溶解混合均匀,加入溶剂体积1/3^1/2的甲醇,并加热至4(T50°C搅拌,低压蒸馏除水;然后停止低压蒸馏和加热,仅搅拌;最后通过加入溶剂进行定容,形成第一前驱溶液,第一前驱溶液的Si离子摩尔浓度为O.2-0. 8mol/l ;通过加入溶剂稀释第一前驱溶液,得到第二前驱溶液,其Si离子摩尔浓度为 O. 02-0. 2mol/l ;所述硅源为正硅酸乙酯或正硅酸丙酯,所述溶剂为异丙醇,或乙醇,或乙醚;(2)旋涂将第一前驱溶液滴在基片表面,涂覆一层均匀液膜于基片上;退火将涂覆有液膜的基片从室温以2 10°C /min的速率升温至45(T550°C烧结,保温l(T30min,气氛为空气,然后自然...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭培,熊杰,陶伯万,程崛,杨科,赵晓辉,李言荣,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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