【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于太阳能
技术介绍
随着太阳能电池组件的广泛应用，光伏发电在新能源中越来越占有重要比例，获得了飞速发展。目前，在太阳电池的生产工艺中，硅片表面的绒面结构可以有效地降低太阳电池的表面反射率，是影响太阳电池光电转换效率的重要因素之一。为了在晶体硅太阳能电池表面获得好的绒面结构，以达到较好的减反射效果，人们尝试了许多方法，常用的包括机械刻槽法、激光刻蚀法、反应离子刻蚀法(RIE)、各向同性化学腐蚀法等。其中，机械刻槽方法可以得到较低的表面反射率，但是该方法造成硅片表面 的机械损伤比较严重，而且其成品率相对较低，故而在工业生产中使用较少。对于激光刻蚀法，是用激光制作不同的刻槽花样，条纹状和倒金字塔形状的表面都已经被制作出来，其反射率可以低至8. 3%，但是由其制得的电池的效率都比较低，不能有效地用于生产。RIE方法可以利用不同的模版来进行刻蚀，刻蚀一般是干法刻蚀，可以在硅片表面形成所谓的“黑硅”结构，其反射率可以低至7. 9%，甚至可以达到4%，但是由于设备昂贵，生产成本较高，因此在工业成产中使用较少。而各向同性化学腐蚀法具有工艺简单、廉价优...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?将待处理的硅片经酸液或碱液腐蚀，在硅片表面形成微米级的绒面结构；(2)?将步骤(1)得到的硅片进行气体腐蚀，在所述微米级的绒面结构上进一步形成纳米级的绒面结构；气体腐蚀所用的气体包括氮氧化物气体、水蒸气和氟化氢；所述氮氧化物气体选自一氧化氮、二氧化氮和四氧化二氮中的一种或几种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周军，姜小松，贺文慧，朱娟娟，党继东，孟祥熙，辛国军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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