用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构制造技术

本发明专利技术公开了一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2.5mm。本发明专利技术采用常用原料，与现行的薄膜电容工艺部分兼容，电容器具有良好过电流及自愈能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT )电容结构，具体涉及一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构。
技术介绍
近年来，由于大电流高电压的IGBT已模块化，使得驱动电路性能更好，整机的可靠性更高及体积更小，因而新能源中变频器已广泛使用IGBT模块。由于IGBT开关过程中较高的电压导致IGBT关断时将会使其电流电压的运行轨迹超出它的安全工作区而损坏，为了使IGBT关断过电压能得到有效地抑制并减少关断损耗， 通常都需要给IGBT主电路设置吸收保护电容器，吸收电容器要求耐高压、耐大电流冲击。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构。本专利技术采用的技术方案是一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3_，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2. 5_。本专利技术采用两种不同结构的金属化薄膜制成电容器，本专利技术采用波浪分切技术提高电容器过流能力，本专利技术采用中留边金属膜提高电容的耐压性能，采用双面金属化膜提高耐电流2倍的能力。本专利技术工艺简单，选用现行薄膜电容工艺和双面金属化波浪分切工艺。 本专利技术的有益效果⑴采用常用原料；(2)与现行的薄膜电容工艺部分兼容；⑶ 电容器具有良好过电流及自愈能力；(4)结构简单、稳定性好；(5)所有原料均无毒，更具有环境协调性。附图说明图1为本专利技术的结构示意图；图2为本专利技术中留边双面金属化薄膜的结构示意图；图3为本专利技术双留边金属化薄膜的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步说明如图1、2、3所示一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，包括底层1、介质层2和外层3，所述底层I为中留边双面金属化薄膜，所述介质层2为光膜，所述外层3为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜 的留边处的光膜宽为2. 5mm。权利要求1.一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，其特征在于包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2. 5_。全文摘要本专利技术公开了一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2.5mm。本专利技术采用常用原料，与现行的薄膜电容工艺部分兼容，电容器具有良好过电流及自愈能力。文档编号H01G4/33GK103000374SQ20111027204公开日2013年3月27日 申请日期2011年9月15日 优先权日2011年9月15日专利技术者徐道安, 毛翔宇 申请人:扬州凯普电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，其特征在于：包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2.5mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐道安，毛翔宇，
申请(专利权)人：扬州凯普电子有限公司，
类型：发明
国别省市：