【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示
,涉及主动式有机发光二极管(AMOLED)显示屏像素驱动技术。
技术介绍
像素驱动电路的驱动电流大小决定了像素发光亮度高低。传统的2T1C(双管单电容)像素驱动电路如附图说明图1所示以PMOS型TFT (P型场效应薄膜晶体管,简称晶体管)为例,其流过晶体管M2的驱动电流大小为权利要求1.主动式有机发光二极管显示屏像素驱动电路,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第二电容和OLED ;所述第一晶体管栅极连接选通信号,源极连接像素信号,漏极通过第一电容与第二晶体管栅极连接;所述第二晶体管源极连接电源并通过第二电容与栅极连接,其漏极连接第四晶体管源极和第三晶体管漏极; 所述第三晶体管源极连接第二晶体管栅极,栅极连接第一控制信号;所述第四晶体管栅极连接第二控制信号,漏极通过OLED接地;所述第五晶体管栅极连接第三控制信号,源极与第四晶体管源极连接,漏极接参考电平。2.根据权利要求1所述的主动式有机发光二极管显示屏像素驱动电路,其特征在于, 所述驱动电路由薄膜电路构成,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、 ...
【技术保护点】
主动式有机发光二极管显示屏像素驱动电路,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第二电容和OLED;所述第一晶体管栅极连接选通信号,源极连接像素信号,漏极通过第一电容与第二晶体管栅极连接;所述第二晶体管源极连接电源并通过第二电容与栅极连接,其漏极连接第四晶体管源极和第三晶体管漏极;所述第三晶体管源极连接第二晶体管栅极,栅极连接第一控制信号;所述第四晶体管栅极连接第二控制信号,漏极通过OLED接地;所述第五晶体管栅极连接第三控制信号,源极与第四晶体管源极连接,漏极接参考电平。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周刚,田朝勇,
申请(专利权)人:四川虹视显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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