能承受高频开关损耗的电磁阀驱动装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能承受高频开关损耗的电磁阀驱动装置，包括MCU，还包括高端开关管驱动电路、电流峰值限制电路、低端选通电路、低端电流采样电路、电流短路保护电路、电流调制电路、高压开关管、多个高端驱动支路、选通开关管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、采样电阻；每个高端驱动支路包括一个调制开关管、一个续流二极管、以及与调制开关管串联的喷油器电磁阀。所述电流短路保护电路包括第一非门、第一或门、第一比较器、第十九电阻、第二十电阻、第十电阻、第十电容；所述电流峰值限制电路包括第二非门、第二或门、第二比较器、输出与门、第二十一电阻、第二十二电阻、第二十电阻、第二十电容。本发明专利技术用于喷油器电磁阀的驱动。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种能承受高频开关损耗的电磁阀驱动装置，包括MCU，其特征在于：还包括高端开关管驱动电路(1)、电流峰值限制电路(2)、低端选通电路(3)、低端电流采样电路(4)、电流短路保护电路(5)、电流调制电路(6)、高压开关管(Tboost)、多个高端驱动支路、选通开关管(T_lowside1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、采样电阻(R1)；每个高端驱动支路包括一个调制开关管(Tbattery)、一个续流二极管(D)、以及与调制开关管(Tbattery)串联的喷油器电磁阀(L)；高压源(Boost)连接高压开关管(Tboost)的漏极，高压开关管(Tboost)的源极连接第一二极管(D1)的正极，第一二极管(D1)的负极连接每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的漏极；高端开关管驱动电路(1)连接高压开关管(Tboost)的栅极、每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的栅极、电流峰值限制电路(2)以及电流调制电路(6)；蓄电池(Battery)连接第二二极管(D2)的正极，第二二极管(D2)的负极连接每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的漏极；每个高端驱动支路中的调制开关管(Tbattery)的源极连接续流二极管(D)的负极和喷油器电磁阀(L)的一端，续流二极管(D)的正极接地；每个高端驱动支路中的喷油器电磁阀(L)的另一端连接选通开关管(T_lowside1)的漏极以及第三二极管(D3)的正极，第三二极管(D3)的负极接高压源(Boost)；低端选通电路(3)连接选通开关管(T_lowside1)的栅极，选通开关管(T_lowside1)的源极通过采样电阻(R1)接地；低端电流采样电路(4)连接选通开关管(T_lowside1)的源极和采样电阻(R1)的连接点，进行驱动电流的采样，低端电流采样电路(4)还连接电流峰值限制电路(2)、电流短路保护电路(5)、电流调制电路(6)；电流短路保护电路(5)连接电流调制电路(6)；电流调制电路(6)还连接高端开关管驱动电路(1)；MCU连接高端开关管驱动电路(1)、电流峰值限制电路(2)、低端选通电路(3)、电流短路保护电路(5)和电流调制电路(6)；MCU发出选缸信号(S1)并将其传给高端开关管驱动电路(1)、低端选通电路(3)、电流短路保护电路(5)和电流调制电路(6)，MCU发出设定高压开放信号(S3)并将其传入电流峰值限制电路(2)，MCU发出二阶电流控制信号(S5)并将其传给电流调制电路(6)；低端电流采样电路(4)将采样后产生的低端电流采样信号(S7)传给电流峰值限制电路(2)、电流短路保护电路(5)和电流调制电路(6)；电流峰值限制电路(2)产生实际高压开放信号(S4)并传给高端开关管驱动电路(1)；电流短路保护电路(5)产生短路保护逻辑信号(S2)并将其传给电流调制电路(6)；电流调制电路(6)产生电流调制信号(S6)并将其传给高端开关管驱动电路(1)。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢宏斌，曾伟，蒋诚，张爱云，俞谢斌，高威，徐剑飞，
申请(专利权)人：中国第一汽车股份有限公司无锡油泵油嘴研究所，
类型：发明
国别省市：