基板处理组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种基板处理液，由以下重量份的组分组成，磷酸二氢钠15-20份、乙基甘氨酸10-15份、三聚磷酸钠5-10份、葡庚糖酸11-14份、乙烯化氧/乙二醇缩合物7-12份、苄基氯8-16份、氢氧化钾17-20份、氧化丙烯/丙二醇缩合物25-30份、酒石酸27-38份、碱或碱土金属的硼酸盐14-18份、碳酸盐16-19份、氢氧化物21-28份、磷酸盐14-17份、四甲基氢氧化铵20-25份。本发明专利技术能有效地清洗除去基板上吸附的金属，因此能够省略其后的酸性清洗，使清洗过程大幅缩短。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及清洗除去的基板处理组合物。
技术介绍
在半导体制造用硅晶片的制造工序中，从硅的单晶锭切割晶片并加工成规定的厚度时，为了实现均匀的蚀刻，用氢氧化钠或氢氧化钾等碱进行蚀刻。此时，氢氧化钠或氢氧化钾中的金属杂质会大量地吸附于晶片表面。通常在蚀刻后，通过用稀氢氟酸等酸进行清洗来除去，但是特别是在硼等高浓度分散的低电阻基板中，Cu和Ni易在内部扩散，其中Ni在氢氧化钠或氢氧化钾的使用温度80°C左右会引起扩散，因此采用酸进行的表面清洗无法除去内部扩散的金属杂质，这已成为一个问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板处理用组合物。一种基板处理液，由以下重量份的组分组成，磷酸二氢钠15-20份、乙基甘氨酸10-15份、三聚磷酸钠5-10份、葡庚糖酸11-14份、乙烯化氧/乙二醇缩合物7_12份、苄基氯8-16份、氢氧化钾17-20份、氧化丙烯/丙二醇缩合物25-30份、酒石酸27-38份、碱或碱土金属的硼酸盐14-18份、碳酸盐16-19份、氢氧化物21-28份、磷酸盐14-17份、四甲基氢氧化铵20-25份。使用了本专利技术的基板的清洗方法，典型地可列举出将基板直接浸溃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理液，其特征在于：由以下重量份的组分组成，磷酸二氢钠15?20份、乙基甘氨酸10?15份、三聚磷酸钠5?10份、葡庚糖酸11?14份、乙烯化氧/乙二醇缩合物7?12份、苄基氯8?16份、氢氧化钾17?20份、氧化丙烯/丙二醇缩合物25?30份、酒石酸27?38份、碱或碱土金属的硼酸盐14?18份、碳酸盐16?19份、氢氧化物21?28份、磷酸盐14?17份、四甲基氢氧化铵20?25份。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐状，徐超，李建，
申请(专利权)人：青岛中科润美润滑材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：