用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法技术

本发明专利技术涉及用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，利用激光加工的刻蚀掩模板作为掩模层，对石英表面的残余金属和光刻胶进行等离子体刻蚀，刻蚀过程由清洗、对版、残余光刻胶刻蚀、残余金属刻蚀四个步骤组成，对版过程类似于接触式光刻中的图形对准工序，通过预先加工好的对准标记实现不锈钢板与元件晶片的对准，本发明专利技术克服了通过过曝光、过显影和过腐蚀去除微掩模引起的结构图形失真，保持了光刻的高精度，并融合了物理轰击和化学作用，刻蚀方向性好、速率和选择比高，去除微掩模效果明显，且操作简单，成本低，对于提高压电石英元件湿法腐蚀表面光洁度具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石英腐蚀，具体是涉及一种。
技术介绍
石英晶体作为一种典型的压电材料兼具有高品质因数和良好的热稳定性，多年来已被广泛应用于制造电声换能器、谐振器、滤波器以及传感器等元件。压电石英元件的加工通常采用物理气相沉积制备的金属薄膜作为掩蔽膜，利用紫外光刻技术将其图形化，再通过氟基湿法腐蚀液腐蚀获得最终的结构。对于一些元件，存在一部分结构需要通过单面腐蚀制备，即这些结构的一面是腐蚀获得的，该面的平均粗糙度以及轮廓峰峰值往往对于器件的成品率和结构的频率温度特性存在关键性的影响。 石英湿法腐蚀表面的粗糙度和轮廓峰峰值与很多因素有关，例如腐蚀液本身的参数(涉及浓度、配比、温度)、搅拌方式以及由金属和光刻胶残余等构成的具有一定附着力的微小掩模(又称微掩模)。大量实验表明，这些微掩模阻挡了石英湿法腐蚀液与晶片表面的接触，使得石英腐蚀面出现三角锥形的小丘，最终导致腐蚀表面粗糙度和轮廓峰峰值增加。显微观察表明，微掩模的来源主要有两种，一种是金属掩蔽膜制备过程中引入的金属飞溅点，这些飞溅点区域附近薄膜厚度远大于其他区域，在掩蔽膜图形化过程中这些飞溅点很难去除干净；另一种是源于紫外光刻过程本身的本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于提高石英腐蚀表面光洁度的微掩模去除方法，其特征在于包括如下步骤：步骤(一)、在刻蚀掩模板(5)上加工出镂空图形，并将刻蚀掩模板(5)与衬板(9)、紧固螺钉(10)、元件晶片(3)、压板(8)进行装配，得到等离子体刻蚀夹具，具体装配方法如下：(a)、将刻蚀掩模板(5)与压板(8)真空吸合；(b)、将元件晶片(3)放置于刻蚀掩模板(5)下方，与刻蚀掩模板(5)保持一定间隙；(c)、将刻蚀掩模板(5)上的镂空图形与元件晶片(3)上通过金属掩蔽膜图形化后获得的需要进行微掩模去除的图形对准；(d)、将元件晶片(3)与刻蚀掩模板(5)接触并真空吸合；(e)、将衬板(9)与元件晶片(3)接触，紧固螺钉(...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨挺，杨贵玉，孙苗苗，
申请(专利权)人：北京遥测技术研究所，航天长征火箭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：