交联性组合物制造技术

本发明专利技术提供一种对于形成导电性、耐溶剂性、耐热性、耐久性等优异的有机半导体有用的组合物(例如，涂敷组合物)及由该组合物形成的有机半导体等。所述组合物含有：具有羰基作为反应部位的芳香族多羰基化合物和选自具有氨基作为反应部位的芳香族多胺及具有与杂环的杂原子邻接且作为反应部位的多个未修饰的α-碳位的芳香族杂环化合物中的至少1种的芳香族反应成分，芳香族反应成分为芳香族杂环化合物时，芳香族多羰基化合物为芳香族多醛化合物。使用所述芳香族多羰基化合物及芳香族反应成分中的至少一种成分为1分子中具有3个以上的反应部位的组合物，形成具有三维交联结构的有机半导体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种导电性、耐溶剂性、耐热性、耐久性等优异的交联性组合物(特别是对于形成有机半导体有用的组合物(例如涂敷组合物))及由该组合物形成的有机半导体等。
技术介绍
有机半导体已知有低分子型和高分子型。例如，作为低分子型有机半导体成分，在日本特开2004-346082号公报(专利文献I)中公开有下述式(I)所示的叔胺化合物等，其记载有通过在分子内具有至少I个以上具有电子给与性部分的化学结构和电子吸引性部分的化学结构的基团而使凝聚力提高，并且可以控制分子取向。 权利要求1.一种交联性组合物，其含有 具有羰基作为反应部位的芳香族多羰基化合物，和 芳香族反应成分，该芳香族反应成分选自具有氨基作为反应部位的芳香族多胺及具有与杂环的杂原子邻接且作为反应部位的多个未修饰的a-碳位的芳香族杂环化合物中的至少I种， 芳香族反应成分为芳香族杂环化合物时，芳香族多羰基化合物为芳香族多醛化合物，其中，所述芳香族多羰基化合物及芳香族反应成分中的至少一种成分在I分子中具有3个以上的反应部位。2.根据权利要求I所述的组合物，其中，芳香族多羰基化合物为下述式(Ia)所示的化合物，3.根据权利要求2所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井和寿，舩木克典，延谷真实，
申请(专利权)人：株式会社大赛璐，
类型：
国别省市：