一种电池保护电路及其充电功率开关控制信号产生电路制造技术

技术编号:8454494 阅读:196 留言:0更新日期:2013-03-21 23:14
本发明专利技术提供一种改进充电功率开关控制信号产生电路的电池保护电路,所述控制信号产生电路包括产生控制信号的控制器、开关器件和限流电阻,其中开关器件包括三端,其控制端连接于控制器的输出端,一端连接于高电平,另一端连接于限流电阻的一端,限流电阻的另一端连接低电平,开关器件与限流电阻的连接节点作为电池保护电路中充电功率开关控制信号的输出端,允许充电时,所述控制器输出控制信号使开关器件导通,电池保护电路中充电功率开关控制信号的输出端输出控制信号使充电功率开关导通,禁止充电时,控制器输出控制信号使开关器件截止,所述电池保护电路中充电功率开关控制信号的输出端输出控制信号使充电功率开关关断。

【技术实现步骤摘要】
一种电池保护电路及其充电功率开关控制信号产生电路方法
本专利技术涉及电子电路领域,特别是关于一种电池保护电路中充电功率开关控制信号产生电路的改进。
技术介绍
如图I所示,现有的锂电池在充电时,通常会设置一块充电保护芯片,用来根据电池的充放电状态控制什么时候对锂电池进行充电,什么时候禁止对锂电池充电,以实现对电池的保护。图I示出了一种电池保护系统的结构图。如图I所示,所述电池保护系统包括电池电芯Bat、电阻R1、电容Cl、电池保护电路110、电阻R2、充电功率开关130和放电功率开关120。电阻Rl和电容Cl串联于电池电芯Bat的正极B+和负极B-之间,充电功率开关和放电功率开关串联于电池电芯的负极B-和电池的负极P-之间,电池电芯Bat的正极B+直接与电池的正极P+之间。所述放电功率开关包括NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor)场效应晶体管MNl和寄生于其体内的二极管D1。所述充电功率开关包括NMOS场效应晶体管MN2和寄生于其体内的二极管D2。NMOS晶体管MNl的漏极和NMOS晶体管MN2的漏极相连,NMOS 晶体管丽I的源极与电池电芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电池保护电路,其包括:电池保护控制电路、由电池保护控制电路控制对电池电芯进行充电的充电功率开关和由电池保护控制电路控制对电池电芯进行放电的放电功率开关,所述电池保护控制电路包括控制所述充电功率开关的控制信号产生电路,所述控制信号产生电路包括产生控制信号的控制器、串联于第一节点和第二节点之间的开关器件和限流电阻,其中该开关器件的控制端连接于控制器的输出端,开关器件与限流电阻的连接节点作为电池保护电路中充电功率开关控制信号的输出端,第一节点的电平为高电平,第二节点的电平为低电平。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:尹航田文博李展王钊
申请(专利权)人:无锡中星微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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